技术总结
本发明提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括形成在衬底上方的鳍结构和横跨鳍结构形成的栅极结构。此外，栅极结构包括形成在衬底上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的功函数金属层。栅极结构进一步包括形成在功函数金属层上方的栅电极层。此外，栅电极层的顶面所在的位置比栅极介电层的顶面所在的位置高，并且栅极介电层的顶面所在的位置比功函数金属层的顶面所在的位置高。
技术研发人员：张家玮;张哲诚;巫柏奇;赵益承
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510781171
技术研发日：2015.11.13
技术公布日：2016.11.23