1.一种半导体加工设备，包括反应腔室和工艺气路，其中，在所述反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置；所述工艺气路用于向所述反应腔室内输送工艺气体，其特征在于，还包括吹扫装置，所述吹扫装置包括进气管路和气源，其中，
所述气源用于向所述进气管路提供所述吹扫气体；
所述进气管路设置在所述反应腔室的腔室壁内，且所述进气管路的进气端与所述气源连接，所述进气管路的出气端设置在所述反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向所述晶片上表面、且沿平行于所述晶片上表面的方向输送吹扫气体。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述进气管路的出气端的数量为多个，且分为一组或多组出气组，所述多组出气组沿垂直于所述晶片上表面的方向间隔分布；
所述出气组中的多个出气端沿所述反应腔室的腔室侧壁间隔分布，且相对于所述晶片上表面的高度相同。
3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述出气端与置于所述承载装置上的晶片边缘之间的水平间距的取值范围在0.5～5cm。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述水平间距为1cm。
5.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述进气管路包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路相互并联，并串联在所述进气端和所述出气端之间，其中，
在所述第一支路上设置有第一通断阀和第一流量控制阀，所述第一通断阀用于接通或断开所述第一支路；所述第一流量控制阀用于 调节所述第一支路的气流量；
在所述第二支路上设置有第二通断阀和第二流量控制阀，所述第二通断阀用于接通或断开所述第二支路；所述第二流量控制阀用于调节所述第二支路的气流量。
6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述承载装置将所述晶片固定之后，且在进行工艺之前，所述第一通断阀接通所述第一支路，所述第二通断阀断开所述第二支路，同时所述第一流量控制阀将第一支路的气流量调节至第一预设值；
在完成所述工艺，且所述承载装置解除对所述晶片的固定之后，所述第一通断阀断开所述第一支路，所述第二通断阀接通所述第二支路，同时所述第二流量控制阀将第二支路的气流量调节至第二预设值。
7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一预设值的取值范围在500～1000sccm。
8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一预设值为800sccm。
9.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第二预设值的取值范围在200～500sccm。
10.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述吹扫气体包括氮气或者惰性气体。