技术领域本发明涉及在为了对半导体晶圆等基板进行试验、处理而要将半导体晶圆等基板吸附保持于载置台时使用的基板吸附辅助构件和基板输送装置。
背景技术：
作为用于对形成于作为基板的一个例子的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)的半导体器件的电特性进行检查的装置而公知有探测装置(以下称作“探测仪”)。作为探测仪的一个例子，公知有如下一种探测仪，该探测仪包括：探测卡，其具有用于与形成于晶圆的多个半导体器件中的1个半导体器件相接触的规定数量的探针；以及载物台，其用于载置晶圆，该载物台沿上下左右方向自如地移动，通过使探针与半导体器件的电极焊盘、软钎料凸块相接触而使检查电流自各探针流向电极焊盘、软钎料凸块，从而检查半导体器件的电特性。在探测仪中，为了使晶圆不会在载物台上移动，例如，利用真空吸附将晶圆保持在载物台上。但是，近年来，因晶圆的薄化、形成于晶圆的半导体器件的高密度化、构造的复杂化而使晶圆所产生的翘曲变大。提出有各种用于将翘曲较大的晶圆真空吸附于载物台的辅助机构。例如，提出如下一种方法：在对载置在载物台上的晶圆进行真空吸附时，通过自晶圆的上方向晶圆的不与载物台相接触的区域吹送气体来矫正晶圆的翘曲，从而易于将晶圆真空吸附于载物台(参照专利文献1、2)。专利文献1：日本特开昭61－276339号公报专利文献2：日本特开2000－243814号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题然而，在所述专利文献1、2所记载的真空吸附方法的辅助机构中，尤其是，在晶圆上产生了成为以下状态的U字型的翘曲的情况下，有时难以使整个晶圆吸附于载物台：在将晶圆载置于载物台时，晶圆的中央部与载物台相接触，但晶圆的外周部自载物台浮起。图9是示意性表示将以往的利用吹送气体的吸附辅助方法应用于翘曲较大的基板时的气体的流动的图。在晶圆90上产生了向载物台95侧凸起的U字型的翘曲。在通过以往的吹送气体来矫正这样的翘曲的情况下，以对晶圆90的外周部施力而使得晶圆90的外周部靠近载物台95的方式吹送气体。但是，当为了增大用于使晶圆90的外周部靠近载物台95的作用力而使气体的吹出口97靠近晶圆90(或增大气体压力)时，晶圆90的上表面外周侧的动压变高而产生提起晶圆90的力，从而晶圆90变得不稳定而难以对晶圆90进行真空吸附。此外，在图9的例子中，在以与晶圆90相对的方式配置的板状构件96上设置了吹出口97，但即使替代板状构件96而使用喷嘴(未图示)向晶圆90的外周部的上表面侧吹送气体，也导致相同的结果。本发明的目的在于，提供即使在基板上产生了较大的翘曲的情况下、也能够将基板真空吸附于载置台的基板吸附辅助构件和基板输送装置。用于解决问题的方案为了实现所述目的，技术方案1提供一种基板吸附辅助构件，其用于对基板向载置台的真空吸附进行辅助，该基板在载置于所述载置台时，中央部与所述载置台相接触且外周部自所述载置台浮起，而该基板具有翘曲，其特征在于，所述基板吸附辅助构件具有：上方覆盖壁部，在该上方覆盖壁部上设有用于朝向所述基板吹送气体的气体喷出口或进气口，该上方覆盖壁部覆盖被载置于所述载置台的基板的上方；以及侧方围绕壁部，其与所述上方覆盖壁部的外周相接合并覆盖所述基板的侧方，所述侧方围绕壁部的内周面与所述基板的外周侧面之间的间隙窄于所述基板的最上端与所述上方覆盖壁部的下表面之间的间隙。根据技术方案1的技术方案2的基板吸附辅助构件的特征在于，在所述上方覆盖壁部设有所述气体喷出口的情况下，所述气体喷出口在所述上方覆盖壁部的与载置于所述载置台的基板的外周部相对的位置形成有多个。根据技术方案1的技术方案3的基板吸附辅助构件的特征在于，在所述上方覆盖壁部设有所述进气口的情况下，所述进气口的总开口面积为所述基板的上端与所述上方覆盖壁部之间的气体流路面积以上。根据技术方案3的技术方案4的基板吸附辅助构件特征在于，所述进气口在所述上方覆盖壁部的与载置于所述载置台的基板的外周部相对的位置形成有多个。为了实现所述目的，技术方案5提供一种基板输送装置，其包括：基板吸附辅助构件，其用于对基板向载置台的真空吸附进行辅助，该基板在载置于所述载置台时，中央部与所述载置台相接触且外周部自所述载置台浮起，而该基板具有翘曲；升降单元，其用于使所述基板吸附辅助构件在所述载置台上升降；以及控制单元，其控制利用所述升降单元进行的所述基板吸附辅助构件的升降，其特征在于，所述基板吸附辅助构件具有：上方覆盖壁部，在该上方覆盖壁部上设有用于朝向所述基板吹送气体的气体喷出口，该上方覆盖壁部覆盖被载置于所述载置台的基板的上方；以及侧方围绕壁部，其与所述上方覆盖壁部的外周相接合并覆盖所述基板的侧方，所述控制单元控制所述升降单元，以便在要将载置于所述载置台的基板真空吸附于所述载置台时，将所述基板吸附辅助构件配置于使所述侧方围绕壁部的下表面与所述载置台的上表面之间形成比所述基板的最大翘曲量窄的间隙的规定位置，在将所述基板吸附辅助构件配置于所述规定位置的状态下，所述侧方围绕壁部的内周面与所述基板的外周侧面之间的间隙窄于所述基板的最上端与所述上方覆盖壁部的下表面之间的间隙。根据技术方案5的技术方案6的基板输送装置特征在于，所述气体喷出口在所述上方覆盖壁部的与载置于所述载置台的基板的外周部相对的位置形成有多个。为了实现所述目的，技术方案7提供一种基板输送装置，其包括：基板吸附辅助构件，其用于对基板向载置台的真空吸附进行辅助，该基板在载置于所述载置台时，中央部与所述载置台相接触且外周部自所述载置台浮起，而该基板具有翘曲；升降单元，其用于使所述基板吸附辅助构件在所述载置台上升降；以及控制单元，其控制利用所述升降单元进行的所述基板吸附辅助构件的升降，其特征在于，所述基板吸附辅助构件具有：上方覆盖壁部，在该上方覆盖壁部上设有进气口，该上方覆盖壁部覆盖被载置于所述载置台的基板的上方；以及侧方围绕壁部，其与所述上方覆盖壁部的外周相接合并覆盖所述基板的侧方，所述控制单元控制所述升降单元，以便在要将载置于所述载置台的基板真空吸附于所述载置台时，将所述基板吸附辅助构件配置于使所述侧方围绕壁部的下表面与所述载置台的上表面密合的规定位置，在将所述基板吸附辅助构件配置于所述规定位置的状态下，所述侧方围绕壁部的内周面与所述基板的外周侧面之间的间隙窄于所述基板的最上端与所述上方覆盖壁部的下表面之间的间隙。根据技术方案7的技术方案8的基板输送装置的特征在于，所述进气口的总开口面积为所述基板的上端与所述上方覆盖壁部之间的气体流路面积以上。根据技术方案7或技术方案8的技术方案9的基板输送装置的特征在于，所述进气口在所述上方覆盖壁部的与载置于所述载置台的基板的外周部相对的位置形成有多个。根据技术方案5至技术方案9中任一项的技术方案10的基板输送装置的特征在于，所述基板吸附辅助构件包括用于对载置于所述载置台的基板的位置进行检测的位置检测传感器，所述控制单元根据由所述位置检测传感器检测出的所述基板的位置检测结果来控制利用所述升降单元进行的所述基板吸附辅助构件的升降，以使所述侧方围绕壁部不会与所述基板相接触。发明的效果在本发明中，即使在将被处理基板载置于载置台时因在被处理基板上产生的翘曲而使被处理基板上存在与载置台的表面分开的部分，在要将被处理基板真空吸附于载置台时，也能够对为了辅助被处理基板真空吸附于载置台而自被处理基板的上表面供给的气体的流动进行调整，以便产生使被处理基板上的与载置台的表面分开的部分靠近载置台的力。由此，即使是翘曲较大的被处理基板，也能够将其可靠地真空吸附于载置台。附图说明图1是表示探测仪的概略结构的立体图。图2是表示图1的探测仪所包括的载物台和载物台的驱动机构的概略构造的立体图。图3是表示在图1的探测仪所包括的装载部上配置的晶圆输送装置的概略结构的立体图和表示晶圆输送装置所包括的、本发明的第1实施方式的吸附辅助臂的局部截面和其周围的构造的立体图。图4是利用盖构件和载物台的截面来说明利用图3的吸附辅助臂相对于载物台对晶圆进行真空吸附辅助的形态的图。图5是表示本发明的第2实施方式的吸附辅助臂的概略构造的立体图和表示局部截面和其周围的构造的立体图。图6是利用盖构件和载物台的截面来说明利用图5的吸附辅助臂相对于载物台对晶圆进行真空吸附辅助的形态的图。图7是表示本发明的第3实施方式的吸附辅助臂的概略构造的后视图和利用盖构件和载物台的截面来说明利用该吸附辅助臂相对于载物台对晶圆进行真空吸附辅助的形态的图。图8是表示本发明的第4实施方式的吸附辅助臂的概略构造的后视图。图9是示意性表示将利用以往的吹送气体的吸附辅助方法应用于翘曲较大的基板时的气体的流动的图。具体实施方式下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。在本实施方式中，作为本发明的基板处理装置，列举出用于对形成于作为被处理基板的晶圆的半导体器件的电特性进行检查的探测仪。图1是表示探测仪的概略结构的立体图。探测仪10包括：主体12，在该主体12内内置有用于载置晶圆W的载物台11(载置台)；装载部13，其与主体12相邻地配置；以及测试头14(检查部)，该测试头14(检查部)以覆盖主体12的方式配置，该探测仪10用于对形成于大口径、例如直径为300mm(φ300mm)、450mm(φ450mm)的晶圆W的半导体器件的电特性进行检查。主体12呈内部为空洞的壳体形状。在主体12的顶部12a设有在载置于载物台11的晶圆W的上方开口的开口部12b。并且，在开口部12b配置有后述的探测卡17(参照图2)，探测卡17与载置于载物台11的晶圆W相对。晶圆W被真空吸附在载物台11上的规定位置。测试头14呈方体形状，以能够通过设置在主体12上的铰链机构15向上方转动的方式构成。在测试头14覆盖主体12时，测试头14经由未图示的接触环与探测卡17电连接。另外，测试头14具有用于将自探测卡17传输过来的表示半导体器件的电特性的电信号作为测定数据存储的未图示的数据存储部、用于根据测定数据来对形成于作为检查对象的晶圆W的半导体器件有无电气缺陷进行判断的未图示的判断部。装载部13包括未图示的容器载置台，该容器载置台用于载置作为晶圆W的输送容器的未图示的FOUP或MAC。另外，在装载部13配置有晶圆输送装置，该晶圆输送装置具有：装载臂和卸载臂，该装载臂和卸载臂用于相对于载置于容器载置台的输送容器进行晶圆W的插拔并与载物台11之间进行晶圆W的交接；以及吸附辅助臂，该吸附辅助臂用于对晶圆W向载物台11的真空吸附进行辅助。此外，在后面，参照图3等来叙述晶圆输送装置。在探测卡17的下表面，以与形成于晶圆W的半导体器件的电极焊盘、软钎料凸块相对应的方式配置有规定数量的探针(未图示)。载物台11调整探测卡17和晶圆W的相对位置而使半导体器件的电极焊盘等与各探针相接触。在使探针与半导体器件的电极焊盘等相接触时，测试头14使检查电流经由探测卡17的各探针流向半导体器件，之后，将表示半导体器件的电特性的电信号传输到测试头14的数据存储部。测试头14的数据存储部将传输过来的电信号作为测定数据存储，判断部根据存储了的测定数据来对作为检查对象的半导体器件有无电气缺陷进行判断。探测卡17所包括的探针需要与形成于成为检查对象的晶圆W的半导体器件中的电极焊盘、软钎料凸块的位置相对应。因此，探测卡17以能够根据形成于成为检查对象的晶圆W的半导体器件的形态而进行更换的方式构成。图2是表示探测仪10所包括的载物台11的驱动机构的概略结构的立体图。如图2所示，载物台11的驱动机构18具有沿着图2中所示的Y方向移动的Y载物台19、沿着该图中所示的X方向移动的X载物台20、以及沿着该图中所示的Z方向移动的Z移动部21。通过沿着Y方向配置的滚珠丝杠22的转动来沿Y方向高精度地驱动Y载物台19，利用作为步进马达的Y载物台用马达23使滚珠丝杠22进行转动。通过沿着X方向配置的滚珠丝杠24的转动来沿X方向高精度地驱动X载物台20。也利用作为步进马达的未图示的X载物台用马达使滚珠丝杠24进行转动。另外，载物台11以通过未图示的θ旋转用马达沿图2所示的θ方向移动自如的方式配置在Z移动部21之上，在载物台11上载置晶圆W。Y载物台19、X载物台20、Z移动部21以及载物台11协同动作而使形成于晶圆W的半导体器件移动至与探测卡17相对的位置，由此，能够使探针与半导体器件的电极焊盘等相接触。利用未图示的马达控制装置对Y载物台用马达23、X载物台用马达以及θ旋转用马达进行驱动控制。图3的(a)是表示配置于装载部13的晶圆输送装置30的概略结构的立体图。晶圆输送装置30具有在Z轴方向上隔开规定的间隔配置的装载臂31、卸载臂32、以及本发明的第1实施方式的吸附辅助臂33。装载臂31、卸载臂32以及吸附辅助臂33分别通过未图示的旋转驱动装置绕Z轴旋转自如，通过未图示的直进驱动机构沿与Z轴正交的一个方向进退自如，并通过未图示的升降机构沿与Z轴平行的方向升降自如。此外，Z轴是与铅垂方向平行的轴。装载臂31是为了将晶圆W自输送容器取出并将晶圆W载置在载物台11上而使用的，卸载臂32是为了将完成半导体器件的电特性的检查后的晶圆W自载物台11取出并将该晶圆W容纳于输送容器而使用的。此外，装载臂31和卸载臂32的结构与本发明没有直接关系，因此省略其详细的说明，但作为装载臂31和卸载臂32，为了即使在晶圆W上产生翘曲也能够可靠地保持晶圆W，期望使用例如日本特开2014－135363号公报所记载那样的、设有用于真空吸附晶圆W的吸附部和抽吸机构的装载臂和卸载臂。吸附辅助臂33是用于对晶圆W向载物台11的真空吸附进行辅助的基板吸附辅助构件。通过将吸附辅助臂33设于晶圆输送装置30，能够避免探测仪10的大型化。吸附辅助臂33具有基材35、设于基材35的气体导入口36、以及安装于基材35的盖构件37。图3的(b)是表示图3的(a)所示的盖构件37的局部截面A和其周围的构造的立体图。盖构件37大体由盖基材41和安装于盖基材41的上表面的圆板构件42构成。盖基材41由圆板状的上方覆盖壁部44和环状的侧方围绕壁部45构成，该上方覆盖壁部44覆盖被载置于载物台11的晶圆W的上方，该侧方围绕壁部45与上方覆盖壁部44的外周相接合且覆盖被载置于载物台11的晶圆W的侧方。盖基材41由例如铝等构成。在上方覆盖壁部44的上表面设有圆板状的凹部，通过利用圆板构件42气密地覆盖该凹部，从而在盖构件37的内部形成气体通路43。气体通路43同以与气体导入口36相连通的方式设于基材35的未图示的气体通路相连通。另外，在上方覆盖壁部44形成有与气体通路43相连通的多个气体喷出口46。因此，当自未图示的气体供给装置经由气体导入口36向吸附辅助臂33供给气体时，供给过来的气体流经气体通路43而自气体喷出口46朝向载置于载物台11的晶圆W吹送。多个气体喷出口46以规定的间隔设置于在盖构件37覆盖被载置于载物台11的晶圆W的状态下与晶圆W的外周部相对的位置。将侧方围绕壁部45的内径设定为在盖构件37覆盖被载置于载物台11的晶圆W的状态下侧方围绕壁部45不与晶圆W的外周侧面相接触且在侧方围绕壁部45与晶圆W的外周侧面之间形成有规定的间隙的值，例如，在为配置于用于检查φ300mm的晶圆W的探测仪10的吸附辅助臂33的情况下，能够将侧方围绕壁部45的内径设定为φ305mm。但是，如以下说明那样，只要能够获得在将产生了翘曲的晶圆W真空吸附于载物台11时的吸附辅助效果，则侧方围绕壁部45的内径并不限定于φ305mm。图4是利用盖构件37和载物台11的截面来说明利用图3的吸附辅助臂33相对于载物台11对晶圆W进行真空吸附辅助的形态的图。此外，在图4中，以简化的方式示出了盖构件37的构造。在将由装载臂31保持的晶圆W载置在载物台11上并使装载臂31自载物台11上退避之后，将设于吸附辅助臂33的盖构件37配置在载物台11的正上方。另外，针对载物台11的真空吸附孔16开始抽真空(VAC)，从而开始自载物台11的上表面进行真空抽吸。此时，由于在晶圆W上产生了向下凸起的U字型的翘曲，因此，成为晶圆W的中央部被真空吸附于载物台11、而晶圆W的外周部自载物台11浮起的状态。使盖构件37自载物台11的正上方朝向载物台11下降，并将盖构件37保持在使侧方围绕壁部45的下表面与载物台11的上表面之间形成规定的间隙S的规定位置。将间隙S设定为比晶圆W的最大翘曲量h小的值，例如，能够将间隙S设定为2mm左右。另外，在综合考虑间隙S和晶圆W的最大翘曲量h的基础上以满足“H+S＞h”的关系的方式对侧方围绕壁部45的高度H进行设定，以使得盖构件37不与晶圆W相接触。并且，将晶圆W的外周侧面与盖构件37的侧方围绕壁部45的内周面之间的间隙K设定为窄于自晶圆W的最上端起到上方覆盖壁部44的下表面为止的间隙L(K＜L)。对于气体自气体喷出口46向晶圆W的吹送，既可以在朝向载物台11降下盖构件37的时刻开始，也可以在将盖构件37定位之后开始。当将气体自气体喷出口46朝向晶圆W的外周部吹送时，由于晶圆W的上侧被上方覆盖壁部44覆盖且晶圆W的外周侧被侧方围绕壁部45包围，因此，晶圆W的上表面侧的静压变高，能够增大向载物台11按压晶圆W的力。另外，由于晶圆W的外周侧面与侧方围绕壁部45的内周面之间的间隙K被设定为窄于自晶圆W起到上方覆盖壁部44为止的最短的间隔L，因此使流经间隙K的气体的流速变大而提高动压，由此，能够增大向载物台11按压晶圆W的外周部的力。并且，通过使气体流经晶圆W的外周侧面与侧方围绕壁部45的内周面之间的间隙K并自间隙S流出，能够降低晶圆W的下表面侧的空间(由晶圆W的下表面、载物台11的上表面以及侧方围绕壁部45围成的空间)的静压，由此，能够增大将晶圆W向载物台11吸引的力。在这些力的协调作用下，即使在晶圆W上产生了U字型的较大的翘曲，也能够将晶圆W矫正至平坦的状态，从而能够将晶圆W可靠地吸附保持于载物台11。对于是否已将晶圆W吸附保持于载物台11，例如，因为当将晶圆W吸附保持于载物台11时，自载物台11的真空吸附孔16抽吸的气体量变得极少而真空度升高，因此，能够根据相对于载物台11的抽真空的压力变化来判断。在判断为已将晶圆W吸附保持于载物台11时，停止向气体导入口36供给气体，使盖构件37自载物台11上退避，之后，使用探测卡17对晶圆W进行检查。接下来，参照图5和图6说明本发明的第2实施方式的吸附辅助臂的结构和使用方法。图5的(a)是表示本发明的第2实施方式的吸附辅助臂50的概略构造的立体图。图5的(b)是表示图5的(a)所示的盖构件52的局部截面B和其周围的构造的立体图。吸附辅助臂50以替换图3所示的晶圆输送装置30的吸附辅助臂33的方式使用。吸附辅助臂50具有基材51和安装于基材51的盖构件52。盖构件52是通过使上方覆盖壁部54和设于上方覆盖壁部54的外周的环状的侧方围绕壁部55形成一体而构成的。多个进气口53以规定的间隔设置在上方覆盖壁部54上的、在盖构件52覆盖被载置于载物台11的晶圆W的状态下与晶圆W的外周部相对的位置。侧方围绕壁部55的内径与盖构件37的侧方围绕壁部45的内径相同。图6是利用盖构件52和载物台11的截面来说明利用吸附辅助臂50相对于载物台11对晶圆W进行真空吸附辅助的形态的图。此外，在图6中，以简化的方式示出了盖构件52的构造。使盖构件52自载物台11的正上方朝向载物台11下降，并将盖构件52保持在使侧方围绕壁部55的下表面和载物台11的上表面密合的规定位置。此时，侧方围绕壁部55的高度H设定为大于晶圆W的最大翘曲量h的值(H＞h)，以使得盖构件52不与晶圆W相接触。另外，将晶圆W的外周侧面与盖构件52的侧方围绕壁部55的内周面之间的间隙K设定为窄于自晶圆W的上端起到上方覆盖壁部54为止的最短的间隔L(＝H－h)(K＜L)。当针对载物台11上的真空吸附孔16开始抽真空(VAC)时，首先，如图6所示，由于在晶圆W上产生了向下凸起的U字型的翘曲，因此，成为晶圆W的中央部被真空吸附于载物台11、而晶圆W的外周部自载物台11浮起的状态。因此，设于载物台11的外周部的真空吸附孔16对由载物台11的上表面和盖构件52划分出的空间SP内的大气进行抽吸，由此使空气(大气)自外部经由形成于上方覆盖壁部54的进气口53朝向晶圆W流入。如此流入到空间SP内的空气通过形成于晶圆W与盖构件52之间的间隙并自设于载物台11的外周部的真空吸附孔16排出。此时，自进气口53导入到空间SP的空气使晶圆W的上表面侧的静压升高而朝向载物台11的上表面对晶圆W的外周部施力。另外，由于晶圆W的外周侧面与侧方围绕壁部55的内周面之间的间隙K被设定为窄于自晶圆W起到上方覆盖壁部54为止的最短的间隔L，因此使流经间隙K的气体的流速变大而提高动压，由此，能够增大向载物台11按压晶圆W的外周部的力，并能够降低晶圆W的下表面侧的空间(由晶圆W的下表面、载物台11的上表面以及侧方围绕壁部55围成的空间)的静压。在这些力的协调作用下，即使在晶圆W上产生了U字型的较大的翘曲，也能够将晶圆W矫正至平坦的状态，从而能够将晶圆W可靠地吸附保持于载物台11。为了如此使用吸附辅助臂50将晶圆W吸附保持于载物台11，需要自外部经由进气口53向空间SP内流入充分的空气，以便产生对所述晶圆W的外周部向载物台11的上表面施力的力。为了确保该空气的流入量，将多个进气口53的总开口面积设定为晶圆W的上端与上方覆盖壁部54之间的气体流路面积以上。接下来，参照图7说明本发明的第3实施方式的吸附辅助臂的结构和使用方法。图7的(a)是表示本发明的第3实施方式的吸附辅助臂60的概略构造的后视图。图7的(b)是利用盖构件63和载物台11的截面来说明利用吸附辅助臂60相对于载物台11对晶圆W进行真空吸附辅助的形态的图。吸附辅助臂60具有基材61、设于基材61的气体导入口62、以及安装于基材61的盖构件63。在盖构件63的内部，与在第1实施方式中说明的、设于吸附辅助臂33的盖构件37的气体通路34同样地形成有气体通路65，气体通路65与设于基材61的气体导入口62相连通。另外，在吸附辅助臂60的在配置于载物台11上时与载物台11的上表面相对的下壁部上，在整个面上以大致均等的间隔形成有多个气体喷出口64。当经由气体导入口62向吸附辅助臂60供给气体时，供给过来的气体流经气体通路65而自气体喷出口64朝向载置于载物台11的晶圆W吹送。以与载置于载物台11的晶圆W隔开规定的间隔地相对的方式配置盖构件63，当针对载物台11上的真空吸附孔16开始抽真空(VAC)时，首先，如图7的(b)所示，在晶圆W上产生了向下凸起的U字型的翘曲，因此，成为晶圆W的中央部被真空吸附于载物台11、而晶圆W的外周部自载物台11浮起的状态。接着，当自气体喷出口64向晶圆W吹送气体时，气体被吹送至晶圆W的整个上表面，由此使晶圆W的上表面与盖构件63之间的空间的静压变高而将晶圆W按压于载物台11的上表面，从而能够将晶圆W吸附保持于载物台11的上表面。此时，通过使盖构件63的下表面与晶圆W的上端之间的间隙较窄，能够增大将晶圆W的外周部向载物台11按压的力。此时，例如，随着将晶圆W的形状向平板状矫正，只要不使盖构件63与晶圆W相接触，也可以使盖构件63靠近晶圆W。接下来，参照图8说明本发明的第4实施方式的吸附辅助臂的结构。图8是表示本发明的第4实施方式的吸附辅助臂70的概略构造的后视图。吸附辅助臂70是在作为第1实施方式说明的吸附辅助臂33上设置用于对晶圆W相对于载物台11的错位进行检测的位置检测传感器71而构成的。因此，对于吸附辅助臂70的构成要件中的与吸附辅助臂33相同的构成要件，标注相同的附图标记而在此省略说明。位置检测传感器71只要能够检测出晶圆W的位置，就可以设于吸附辅助臂70的任意部位，在此，示出了将位置检测传感器71设于上方覆盖壁部44的外周侧的例子。作为位置检测传感器71，优选使用小型照相机，晶圆输送装置30的控制装置根据由位置检测传感器71检测出的晶圆W的位置来调整盖构件37的水平方向位置，以便在吸附辅助臂33的下降动作时不使盖构件37的侧方围绕壁部45与晶圆W相接触。位置检测传感器71的设置数量并不限定于图示的3个，也可以为1个或两个或4个以上。例如，在配置于用于检查φ300mm的晶圆W的探测仪10的吸附辅助臂70中，在侧方围绕壁部45的内径与吸附辅助臂33同样地为φ305mm的情况下，晶圆W的外周端与侧方围绕壁部45的内周面之间的间隙K(参照图4)为2.5mm。为了将整个晶圆W向载物台11按压，优选该间隙K在晶圆W的整周上均等(晶圆W的外周和侧方围绕壁部45的内周成为同心圆)。另外，对于产生了翘曲的晶圆W，载置于载物台11的晶圆W不稳定而在载物台11上的位置有可能偏离基准位置，在晶圆W较大程度地偏离基准位置的情况下，在使盖构件37朝向载物台11下降时，晶圆W与盖构件37的侧方围绕壁部45的下表面相接触而使晶圆W破损的可能性变大。因此，利用位置检测传感器71，在确认晶圆W的位置之后，或者，在确认晶圆W的位置的同时，以不使晶圆W与侧方围绕壁部45相接触的方式、更优选以使晶圆W的外周端与侧方围绕壁部45的内周面之间的间隙K在晶圆W的整周上均等的方式将盖构件37配置于接近载物台11的规定位置(图4的位置)。由此，能够避免晶圆W与侧方围绕壁部45之间的接触而避免晶圆W的破损，并能够使晶圆W的外周端与侧方围绕壁部45的内周面之间的间隙K在晶圆W的整周上均等。如以上的说明那样，通过使用本发明的实施方式的所述各种吸附辅助臂，即使是产生了较大的翘曲的晶圆W，也能够将该晶圆W吸附保持于载物台11。另外，对于在载置于载物台11之前翘曲量较小、而在载置于载物台11时翘曲量变大的晶圆W，在将其真空吸附于载物台11时，也具有有用性。例如，对于探测仪10，设想已形成于晶圆W的半导体器件的使用时的温度上升，为了在将晶圆加热保持在规定温度的状态下对晶圆进行检查，有时预先将载物台加热至规定温度并进行保温。此处，近年，作为被用于探测仪10的检查的晶圆W，存在相对于晶圆上的半导体器件模制树脂或玻璃等的晶圆。这些树脂、玻璃的热传导率与作为晶圆的材料的硅的热传导率不同，因此，在将晶圆W载置在被加热保持为规定温度的载物台上时，晶圆W会产生翘曲，而使原本就存在的翘曲变大，从而有时更难以将晶圆W真空吸附于载物台。作为对在将晶圆W载置在载物台11上时的翘曲量的增大进行抑制的方法，还有在降低载物台温度的状态下载置、吸附保持晶圆W、之后使载物台温度上升的方法，但在使用该方法的情况下，会产生对于一张晶圆W的检查时间变长(生产率降低)这样的问题。与此相对，通过使用本发明的实施方式的吸附辅助臂，能够在不降低载物台温度的前提下将晶圆W真空吸附于载物台11，因此，即使在针对翘曲量较大的晶圆W进行检查的情况下，也能够避免探测仪10的生产率的降低。以上，说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于所述实施方式。例如，在探测仪10中，为了在与作为检查对象的半导体器件的工作温度相配合地将晶圆W加热保持为规定温度的状态下对晶圆W进行检查，有时预先对载物台11赋予温度调节功能，将载物台11加热至规定温度并进行保温。因此，在使用吸附辅助臂33、60、70的情况下，为了不使晶圆W的温度降低，作为向晶圆W吹送的气体，优选使用被加热至规定的温度的气体。此外，加热了的气体的供给方法并不受特别限定，能够使用向气体导入口36、62供给被加热到规定温度的气体的方法、在吸附辅助臂33、60、70的气体通路上设置加热器而对导入了的气体进行加热的方法等。另外，在吸附辅助臂33、70的盖构件37中，将多个气体喷出口46设置在与晶圆W的外周部相对的位置。但是，并不限于此，与设于吸附辅助臂60的盖构件63的下表面的多个气体喷出口64同样地，也可以在盖构件37的盖基材41的上方覆盖壁部44上设置用于向晶圆W的整个面均匀地吹送气体的气体喷出口。并且，在所述实施方式中，作为基板处理装置，列举出用于对形成于晶圆W的半导体器件的电特性进行评价的探测仪，但并不限于此，还能够将本发明应用于真空吸附着晶圆W并对晶圆W施加规定处理的装置、例如等离子体处理装置等。附图标记说明10、探测仪(探测装置)；11、载物台；16、真空吸附孔；30、晶圆输送装置；33、50、70、吸附辅助臂；36、气体导入口；37、52、盖构件；46、气体喷出口；44、54、上方覆盖壁部；45、55、侧方围绕壁部；53、进气口；71、位置检测传感器。