1.光电子器件（10），具有：
－载体（12），
－在载体（12）上的第一电极（20），
－在第一电极（20）上的有机功能层结构（22），
－在有机功能层结构（22）上的第二电极（23），
－在第二电极（23）上的封装层结构（24），其中封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）并且具有朝向第二电极（23）的第一层结构（41）和背向第二电极（23）的第二层结构（44），其中第一层结构（41）交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层（40）和拥有与第一膨胀系数不同的第二膨胀系数的第二层（42），并且其中第二层结构（44）交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有与第三膨胀系数不同的第四膨胀系数的第四层，其中第一层结构（41）的与第二电极（23）直接躯体接触的层（40、42）关于其膨胀系数与第二电极（23）的膨胀系数相等、近似相等或近似。
2.根据权利要求1所述的光电子器件（10），其中第一和/或第二层（40、42）具有硅。
3.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第一和/或第二层（40、42）具有氮、硼、碳和/或氧。
4.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第三和/或第四层具有稀土氧化物。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第三和/或第四层具有氧化铝、氧化铪、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌。
6.光电子器件（10），其中第一和第二层（40、42）具有相同的物质，其中第一层（40）中物质的组成不同于第二层（42）中物质的组成。
7.光电子器件（10），具有：
－载体（12），
－在载体（12）上的第一电极（20），
－在第一电极（20）上的有机功能层结构（22），
－在有机功能层结构（22）上的第二电极（23），
－在第二电极（23）上的封装层结构（24），其中封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）并且具有朝向第二电极（23）的第一层（40）和背向第二电极（23）的第三层结构（46），所述第一层具有硅、氮和碳，其中第三层结构（46）具有交替地拥有氧化铝或氧化钛的层。
8.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），其中第二电极（23）具有铝、银和/或镁。
9.根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10），所述光电子器件在第二电极（23）和封装层结构（24）之间具有截止层结构（50），所述截止层结构具有朝向第二电极（23）的第一截止层（52）和背向第二电极（23）的第二截止层（54），其中第一截止层（52）的硬度大于第二截止层（54）的硬度。
10.根据权利要求9所述的光电子器件（10），其中第一截止层（52）的硬度值大于第二截止层（54）的硬度值。
11.根据权利要求9或10之一所述的光电子器件（10），其中第一截止层（52）具有铬或锇。
12. 根据权利要求9至11之一所述的光电子器件（10），其中第二截止层（54）具有铝、银和/或镁。
13.用于制造光电子器件（10）的方法，其中
－提供载体（12），
－在载体（12）上构造第一电极（20），
－在第一电极（20）上构造有机功能层结构（22），
－在有机功能层结构（22）上构造第二电极（23），
－在第二电极（23）上构造封装层结构（24），其中封装层结构（24）被构造成，使得所述封装层结构（24）封装有机功能层结构（22）并且具有朝向第二电极（23）的第一层结构（41）和背向第二电极（23）的第二层结构（44），其中作为第一层结构（41）交替相叠地构造拥有第一膨胀系数的第一层（40）和拥有与第一膨胀系数不同的第二膨胀系数的第二层（42），并且其中作为第二层结构（44）交替相叠地构造拥有第三膨胀系数的第三层和拥有与第三膨胀系数不同的第四膨胀系数的第四层，其中第一层结构（41）的与第二电极（23）直接躯体接触的层（40、42）关于其膨胀系数与第二电极（23）的膨胀系数相等、近似相等或近似。
14.根据权利要求13所述的方法，其中第一层结构（41）借助CVD方法来构造和/或其中第二层结构（44）借助ALD方法来构造。
15.根据权利要求13或14之一所述的方法，其中在第二电极（23）和封装层结构（24）之间构造截止层结构（50），所述截止层结构具有朝向第二电极（23）的第一截止层（52）和背向第二电极（23）的第二截止层（54），其中第一截止层（52）的硬度大于第二截止层（54）的硬度，其中第二电极（23）借助掩膜来构造并且其中第一截止层（52）借助相同掩膜来构造。