用于生产具有同时回蚀刻的掺杂区的太阳能电池的方法与流程

技术特征：

1.一种用于生产太阳能电池的方法，包括：

提供半导体衬底(1)；

在所述半导体衬底的至少一个表面的部分区中形成多个不同掺杂区(3、5)，其中所述多个不同掺杂区在它们的掺杂浓度和/或它们的掺杂极性上不同；

回蚀刻所述多个不同掺杂区，以在所述掺杂区内实现期望的掺杂分布；

至少在所述掺杂区中的一些形成电触点(21)；

其特征在于，

所述多个不同掺杂区的所述回蚀刻是在蚀刻介质的影响下在共用的蚀刻操作中实施的，

其中关于被蚀刻的掺杂区内的所述期望的掺杂分布的性质，有目的地调整初始未蚀刻的掺杂区的性质和影响所述蚀刻操作的参数二者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中被有目的地调整的所述初始未蚀刻的掺杂区的性质是表面掺杂浓度、薄层电阻、掺杂分布深度和/或覆盖层厚度，并且其中被有目的地调整的影响所述蚀刻操作的参数是蚀刻时间、所述蚀刻介质的组成和/或所述蚀刻介质的温度。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述多个不同掺杂区中的每个被形成为具有在从10¹⁸cm^-3至10²²cm^-3的范围内的最大掺杂浓度。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻介质是基于氟的。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻介质是HF溶液。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻介质包括氧化性物质。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻介质包括选自包括HNO₃、H₂O₂、X_yS₂O₈、X_ySO₅、O₃、X_yMnO₄和BrO₃的组的至少一种氧化性物质。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻介质是HF、HNO₃和H₂O的溶液。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述溶液具有从0至40vol.％的HF含量、从0至55vol.％的HNO₃含量和从0至90vol.％的H₂O含量。

10.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述掺杂区中的至少一个是n掺杂的并且其中所述蚀刻介质中的HNO₃含量被选择为使得在低于该掺杂区内的特定的掺杂浓度时不再发生显著的蚀刻。

11.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中在形成掺杂区之前、期间或之后产生的至少一个覆盖层被有目的地产生，使得在该覆盖层的帮助下，下面的掺杂区的蚀刻的开始被有目的地延迟。

12.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述多个不同掺杂区具有不同的极性。

13.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，为了产生被选择性地蚀刻的掺杂区，使用蚀刻掩模(9、15)保护要被选择性地蚀刻的所述掺杂区的表面的多个部分。

14.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述半导体衬底由硅组成。