使用有无机物质作为变色层的等离子体处理检测指示器的制作方法

技术特征：

1.一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其中，

所述变色层含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi构成的组中的至少一种金属元素的单体和/或包含该金属元素的无机化合物。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述无机化合物中的所述金属元素的价数为选自由Mo(II)～(VI)、W(II)～(VI)、Sn(II)、Sn(IV)、V(II)～(V)、Ce(III)～(IV)、Te(II)、Te(IV)、Te(VI)、Bi(III)及Bi(V)构成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述无机化合物为选自由所述金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、氧化物盐、含氧酸、含氧酸盐及含氧络合物构成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层含有选自由氧化钼(IV)、氧化钼(VI)、氧化钨(VI)、氧化锡(IV)、氧化钒(II)、氧化钒(III)、氧化钒(IV)、氧化钒(V)、氧化铈(IV)、氧化碲(IV)、氧化铋(III)、氢氧化铈(IV)、氢氧化铋(III)、氢氧化钒(III)、氢氧化钼(V)、碳酸氧化铋(III)、氧化硫酸钒(IV)、钼酸铵、钼酸钠、钼酸钾、钨酸钠、钨酸铵、原钒酸钠、偏钒酸铵及偏钒酸钠构成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层含有选自由氧化钼(VI)、氧化钨(VI)、氧化钒(III)、氧化钒(V)及氧化铋(III)构成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，具有支撑所述变色层的基材。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其为电子器件制造装置中使用的指示器。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述指示器的形状与所述电子器件制造装置中所使用的电子器件基板的形状相同。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述电子器件制造装置进行选自由成膜工序、蚀刻工序、灰化工序、杂质添加工序及清洗工序构成的组中的至少一种等离子体处理。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理检测指示器，其中，具有通过等离子体处理而不变色的非变色层。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述非变色层含有选自由氧化钛(IV)、氧化锆(IV)、氧化钇(III)、硫酸钡、氧化镁、二氧化硅、氧化铝、铝、银、钇、锆、钛及铂构成的组中的至少一种。

12.根据权利要求10或11所述的等离子体处理检测指示器，其中，在所述基材上依次形成有所述非变色层及所述变色层，所述非变色层邻接形成于所述基材的主面上，所述变色层邻接形成于所述非变色层的主面上。