1.一种光电子半导体组件(1)，其具有：
-至少一个光电子半导体芯片(2)，用于光谱范围产生在近紫外的光谱范围或可见的光谱范围中的初级辐射，
-至少一种发光材料(3)，用于将所述初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射，所述次级辐射位于可见的光谱范围中，和
-至少一种滤波材料(4)，用于部分地吸收所述次级辐射，
其中所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)紧密地与所述半导体芯片(2)连接。
2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
其中
-所述滤波材料(4)对于所述初级辐射是辐射可穿透的并且不吸收所述初级辐射，
-所述滤波材料(4)在光谱方面窄带地在具有光谱的半高宽最大为20nm的、至少530nm以上的波长范围中吸收，
-所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)在统计学上以彼此混匀的方式存在，使得在所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)之间不存在相分离并且所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)分别以均匀分布的方式存在，并且
-通过所述滤波材料(4)提高由所述半导体组件(1)发射的混合辐射的显色指数和色彩对比指数，所述混合辐射由所述初级辐射和所述次级辐射构成。
3.根据上述权利要求中任一项所述光电子半导体组件(1)，
其中所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)作为颗粒存在并且所述发光材料(3)的颗粒和所述滤波材料(4)的颗粒彼此混匀，
其中所述滤波材料(4)设计为：由所述次级辐射产生三级辐射，所述三级辐射位于近红外的光谱范围中。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述发光材料(3)的颗粒和所述滤波材料(4)的颗粒分别嵌入基体材料，其中所述基体材料是硅酮或硅酮-环氧树脂-混合材料。
5.根据上述权利要求中任一项所述光电子半导体组件(1)，
其中所述发光材料(3)的和所述滤波材料(4)的颗粒存在于囊封体(51)中，所述囊封体直接围绕所述半导体芯片(1)成形，或者存在于粘贴到所述半导体芯片(1)上的小板(52)中。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中至少所述滤波材料(4)的颗粒构成为散射颗粒并且具有在0.5μm和30μm之间的直径，其中包含边界值。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
所述光电子半导体组件设计为：产生具有在2200K和5500K之间的关联的色温的暖白光，其中包括边界值，
其中由所述半导体组件(1)产生的辐射的色坐标在CIE标准色度表中具有距黑体曲线最高0.03单位的间距。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述滤波材料(4)的颗粒通过半导电的量子点和/或通过至少一种有机滤波材料形成。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述滤波材料(4)是无机的并且包括如下元素中的一种或多种元素：Er、Ho、Nd、Pm、Pr、Sm。
10.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述滤波材料(4)具有铝酸盐的、玻璃的或石榴石的结构或属于这些材料类中的一个材料类。
11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述滤波材料(4)吸收0.5％和10％之间的所述次级辐射，其中包含边界值。
12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述发光材料(3)是由(Lu,Ce)3(Al,Ga)5O12和(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu构成的混合物，其中所述滤波材料(4)通过Y3Al5O12:Nd形成，并且
其中所述发光材料(3)与所述滤波材料(4)的质量比位于1.5和1之间，其中包含边界值。
13.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)嵌入共同的基体材料中，其中所述滤波材料(4)通过(Y1-x,Ndx)3Al5O12形成，其中0.06≤x≤0.3，
其中Nd占由所述发光材料(3)、所述滤波材料(4)和所述基体材料构成的混合物的质量份额在1.5％和6.5％之间，其中包含边界值；并且(Y1-x,Ndx)3Al5O12的质量份额在20％和80％之间，其中包含边界值，并且其中所述基体材料与所述半导体芯片(2)直接接触，并且在俯视图中观察，所述半导体芯片完全被覆盖。
14.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述次级辐射的绝对强度最大值在590nm和630nm之间，其中包含边界值，
其中所述初级辐射的绝对强度最大值在420nm和470nm之间，其中包含边界值。