技术总结
在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括：光电子半导体芯片(2)，其用于产生初级辐射。用于将初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射的至少一种发光材料(3)设置在半导体芯片(2)的下游，所述次级辐射位于可见的光谱范围中。此外，光电子半导体组件(1)具有：滤波材料(4)，其用于部分地吸收次级辐射。在此，发光材料(3)和滤波材料(4)紧密地与半导体芯片(2)连接。
技术研发人员：斯特凡·朗格;韦拉·施特佩尔坎普;弗兰克·耶尔曼;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;拉尔夫·维尔特
受保护的技术使用者：欧司朗光电半导体有限公司
文档号码：201580030978
技术研发日：2015.06.10
技术公布日：2017.03.22