1.一种化合物半导体，由以下化学式1表示：
化学式1
M1aCo4Sb12-xM2x
其中M1和M2分别为选自In和稀土金属元素中的至少之一，0≤a≤1.8且0<x≤0.6。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，M1和M2中的至少之一基本上包含Ce和Yb中的至少之一作为稀土金属元素。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，M1和M2中的至少之一基本上包含In。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，M1和M2包含In和稀土元素二者。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，a在0<a≤1.0的范围内。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x在0<x≤0.4的范围内。
7.一种权利要求1中限定的化合物半导体的制备方法，所述制备方法包括：
通过对In和稀土金属元素中的至少之一与Co和Sb进行称重和混合以对应于权利要求1所述的化学式1来形成混合物；以及
对所述混合物进行热处理以形成复合材料。
8.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，其中所述混合物基本上包含Ce和Yb中的至少之一作为稀土金属元素。
9.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，还包括在形成所述复合材料之后，对所述复合材料进行压制烧结。
10.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，其中在形成所述混合物时，预先合成稀土金属元素和Sb的化合物，然后与其他材料混合。
11.一种热电转换装置，包含权利要求1至6中任一项限定的化合物半导体。
12.一种太阳能电池，包含权利要求1至6中任一项限定的化合物半导体。
13.一种块体热电材料，包含权利要求1至6中任一项限定的化合物半导体。