化合物半导体及其制备方法与流程

技术总结
公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：<化学式1>M1aCo4Sb12‑xM2x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中，并且0≤a≤1.8且0<x≤0.6。

技术研发人员：李载骑;金兑训;朴哲熙
受保护的技术使用者：株式会社LG化学
文档号码：201580052778
技术研发日：2015.09.25
技术公布日：2017.05.31