技术总结
本发明的目的在于提供碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体衬底的正面侧设有由p‑型阱层(4)、n+型源区(6)、栅极绝缘膜(8)和栅极(9)组成的MOS栅极结构。层间绝缘膜(10)以覆盖栅极(9)的方式设置，并与栅极绝缘膜(8)接触。钛膜(16)隔着氮化钛膜(11)覆盖层间绝缘膜(10)。源极(14)以不与层间绝缘膜(10)接触的方式设置在钛膜(16)的表面。此外，源极(14)经由钛膜(16)和正面硅化物层(12)与p‑型阱层(4)和n+型源区(6)电连接。钛膜具有在高温动作时吸附或屏蔽从源极(14)产生的氢原子或氢离子的功能。据此，能稳定获得预定的电特性，提高可靠性。
技术研发人员：熊谷直树;堤岳志;酒井善行;大西泰彦;藤本卓巳;福田宪司;原田信介;岡本光央
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
文档号码：201580054438
技术研发日：2015.12.16
技术公布日：2017.05.31