pct国内申请，说明书已公开。
技术特征：技术总结一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底（20）和位于衬底上平行间隔设置的Fin（200），每根Fin包括顶面、第一侧壁和第二侧壁，该掺杂方法包括以下步骤：T1、在Fin的顶面、第一侧壁和第二侧壁中形成掺杂层；T2、将衬底元素沿着该衬底（20）的法线方向注入至Fin的顶面中以减小顶面中掺杂元素的浓度。通过较长时间的离子注入实现注入的饱和，并在侧壁完成注入之后增加一道衬底元素注入的工艺，最终实现Fin的均匀掺杂。
技术研发人员：洪俊华;吴汉明;陈炯;张劲
受保护的技术使用者：上海凯世通半导体股份有限公司
技术研发日：2015.01.08
技术公布日：2017.08.29