技术特征：
技术总结
可以在微电子结构中形成表面末道层，其中表面末道层可以包括多层夹层结构。因此，可以通过不同的材料层来满足夹层结构的所需要的特性，诸如顺从和抗电迁移，而不是尝试利用单个层来实现这些特性。在一个实施例中，多层夹层结构可以包括两层结构，其中接近焊料互连来形成第一层并且第一层包括形成与焊料互连的易延展接头的材料，以及第二层包括具有在第一层和互连垫之间形成的强抗电迁移的材料。在另外的实施例中，第三层可以邻近互连垫来形成，包括形成与互连垫的易延展接头的材料。
技术研发人员：S.V.皮坦巴拉姆;K.O.李
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.02.25
技术公布日：2017.10.13