技术总结
本发明的实施方式的半导体装置具备具有第1面及第2面的SiC层、设置在SiC层内的第1导电型的第1SiC区域、第2导电型的第1及第2柱区域、设置在第1及第2柱区域与第1面之间的第2导电型的第3及第4柱区域、设置在第3柱区域与第4柱区域之间的栅极电极、第2导电型的第1及第2主体区域、栅极绝缘膜、设置在第3及第4柱区域与栅极电极之间的第5及第6柱区域以及第1导电型的第1及第2源极区域。
技术研发人员：河野洋志
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610028286
技术研发日：2016.01.15
技术公布日：2017.03.22