技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体器件及其检测结构、电子装置。所述检测结构用于检测具有浮栅和控制栅的半导体器件，所述检测结构包括：第一接触孔和第二接触孔，位于所述半导体器件中去除所述控制栅之后露出的所述浮栅上；其中，所述第一接触孔与所述第二接触孔分别电连接相邻的所述浮栅，用于分别对相邻的所述浮栅施加不同的电压，以测试相邻的所述浮栅之间的漏电流。所述检测结构包括接触孔和金属层形成链，位于所述浮栅的上方，直接与所述浮栅电连接，用于检测浮栅的漏电或者短路等缺陷，其中所述检测结构包括独立设置的用于在位线和字线方向上对所述浮栅进行检测。
技术研发人员：黄军;查源清
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.01.25
技术公布日：2017.08.01