光电二极管及其制作方法、X射线探测基板及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种X射线探测基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管和PIN光电二极管；其中，所述PIN光电二极管包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；所述本征层的上表面在所述衬底基板上的正投影位于所述本征层的下表面在所述衬底基板上的正投影所在区域内；所述第一掺杂层和第二掺杂层分别位于所述本征层的相对的两个倾斜的侧表面上；其中，所述第一掺杂层的图形为通过构图工艺、离子注入工艺和高温活化工艺在所述本征层的一个倾斜的侧表面上形成；所述第二掺杂层的图形为通过构图工艺、离子注入工艺和高温活化工艺在所述本征层的与形成有所述第一掺杂层相对的另一个倾斜的侧表面上形成。2.如权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，所述本征层在垂直于所述衬底基板的截面为等腰梯形结构。3.如权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，还包括：位于所述第一掺杂层上的第一透明电极层；以及位于所述第二掺杂层上的第二透明电极层。4.如权利要求1-3任一项所述的X射线探测基板，其特征在于，所述第一掺杂层为P型半导体层，所述第二掺杂层为N型半导体层；或所述第一掺杂层为N型半导体层，所述第二掺杂层为P型半导体层。5.如权利要求4所述的X射线探测基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述顶栅型薄膜晶体管的漏极与所述PIN光电二极管的第一透明电极层电连接。6.如权利要求5所述的X射线探测基板，其特征在于，还包括：位于所述PIN光电二极管的上方的第一保护层；通过所述第一保护层的过孔与所述PIN光电二极管的第二透明电极层电连接的阴极。7.如权利要求6所述的X射线探测基板，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管的源极、漏极与所述阴极同层设置。8.如权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管和PIN光电二极管的下方且位于所述衬底基板的上方的第二保护层。9.如权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管和PIN光电二极管的上方且层叠设置的树脂封装层和闪烁层。10.一种PIN光电二极管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成本征层的图形；所述本征层的上表面在所述衬底基板上的正投影位于所述本征层的下表面在所述衬底基板上的正投影所在区域内；通过构图工艺和离子注入工艺在所述本征层的一个倾斜的侧表面上形成第一掺杂层的图形；通过构图工艺和离子注入工艺在所述本征层的与形成有所述第一掺杂层相对的另一个倾斜的侧表面上形成第二掺杂层的图形；通过高温活化工艺对所述第一掺杂层和第二掺杂层进行离子激活。11.如权利要求10所述的PIN光电二极管的制作方法，其特征在于，在对所述第一掺杂层和第二掺杂层进行离子激活之后，还包括：通过一次构图工艺在所述第一掺杂层上形成第一透明电极层的图形，以及在所述第二掺杂层上形成第二透明电极层的图形。12.一种如权利要求1-9任一项所述X射线探测基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成本征层的图形；所述本征层的上表面在所述衬底基板上的正投影位于所述本征层的下表面在所述衬底基板上的正投影所在区域内；通过构图工艺和离子注入工艺在所述本征层的一个倾斜的侧表面上形成第一掺杂层的图形；通过构图工艺和离子注入工艺在所述本征层的与形成有所述第一掺杂层相对的另一个倾斜的侧表面上形成第二掺杂层的图形；通过高温活化工艺对所述第一掺杂层和第二掺杂层进行离子激活；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的图形。13.如权利要求12所述的X射线探测基板的制作方法，其特征在于，在对所述第一掺杂层和第二掺杂层进行离子激活之后，在形成薄膜晶体管的图形之前，还包括：通过一次构图工艺在第一掺杂层上形成第一透明电极层的图形，以及在第二掺杂层上形成第二透明电极层的图形。14.如权利要求13所述的X射线探测基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一透明电极层和第二透明电极层图形之后，还包括：在所述衬底基板上形成第一保护层的图形。15.如权利要求14所述的X射线探测基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的图形，具体包括：在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成薄膜晶体管的有源层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述有源层图形的衬底基板上形成源极、漏极、以及通过所述第一保护层的过孔与所述第二透明电极层电连接的阴极的图形；在形成有所述源极和漏极图形的衬底基板上依次形成栅极绝缘层、栅极的图形。16.如权利要求12所述的X射线探测基板的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成本征层的图形之前，还包括：在衬底基板上形成第二保护层的图形。17.如权利要求15所述的X射线探测基板的制作方法，其特征在于，在形成栅极图形之后，还包括：在所述衬底基板上依次形成树脂封装层和闪烁层的图形。