技术总结
本发明公开了一种光电二极管及其制作方法、X射线探测基板及其制作方法，该光电二极管包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；本征层的上表面在衬底基板上的正投影位于本征层的下表面在衬底基板上的正投影所在区域内；第一掺杂层和第二掺杂层分别位于本征层的相对的两个倾斜的侧表面上。本发明实施例提供的上述光电二极管结构，由于第一掺杂层和第二掺杂层分别位于本征层的两个倾斜的侧表面上，在制作工艺中可以采用离子注入的方式进行掺杂，这样能够精确控制掺杂浓度，实现对光电二极管性能的有效控制，并且设置为倾斜的侧表面可以增大光电二极管的有效受光面积，收集的光生载流子多，产生的信号强度大。
技术研发人员：赵磊;田彪
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201610105256
技术研发日：2016.02.25
技术公布日：2017.10.17