1.一种半导体器件，包括：
块分隔器，包括半导体膜和多层绝缘膜，其中，多层绝缘膜围绕半导体膜；
存储块层叠，通过块分隔器彼此分开，每个存储块层叠包括交替地层叠的层间绝缘膜和导电图案，其中，导电图案耦接到存储单元；以及
通道结构，穿过存储块层叠并且电耦接到存储单元。
2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
隧道绝缘膜，分别围绕通道结构；
数据储存膜，分别围绕隧道绝缘膜；以及
阻挡绝缘膜，分别围绕数据储存膜。
3.如权利要求2所述的半导体器件，
其中，多层绝缘膜包括第一膜、第二膜和第三膜的层叠，
其中，第一膜包括与隧道绝缘膜相同的材料，
其中，第二膜包括与数据储存膜相同的材料，以及
其中，第三膜包括与阻挡绝缘膜相同的材料。
4.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，每个通道结构包括与块分隔器的半导体膜相同的材料膜。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，通道结构和块分隔器中的每个包括：
核心绝缘膜；以及
盖层导电膜，设置在核心绝缘膜上方。
6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
线分隔器，穿过每个存储块层叠，以将每个存储块层叠划分为源极侧层叠和漏极侧层叠。
7.如权利要求6所述的半导体器件，
其中，块分隔器具有比线分隔器更大数目的材料膜。
8.如权利要求6所述的半导体器件，
其中，线分隔器由单个绝缘材料制成。
9.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，每个存储块层叠被划分成源极侧层叠和漏极侧层叠。
10.如权利要求9所述的半导体器件，还包括：
管栅，在源极侧层叠和漏极侧层叠之下；以及
管分割绝缘膜，设置在块分隔器之下并将管栅划分为子管栅。
11.如权利要求10所述的半导体器件，
其中，通道结构包括第一通道结构，以及
其中，第一通道结构包括：
第一管通道，形成在管栅中；
第一源极侧柱，从第一管通道的第一端垂直地延伸到源极侧层叠中；以及
第一漏极侧柱，从第一管通道的第二端垂直地延伸到漏极侧层叠中。
12.如权利要求11所述的半导体器件，
其中，通道结构包括第二通道结构，以及
其中，第二通道结构包括：
第二管通道，形成在管栅中，其中，第二管通道位于比第一管通道更高的水平处；
第二源极侧柱，从第二管通道的第一端垂直地延伸到源极侧层叠中；以及
第二漏极侧柱，从第二管通道的第二端垂直地延伸到漏极侧层叠中，
其中，第二源极侧柱和第二漏极侧柱两者都设置在第一源极侧柱和第一漏极侧柱之间。
13.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，块分隔器的半导体膜在存储单元的操作期间处于电浮置状态。
14.一种制造半导体器件的方法，包括：
形成包括交替地层叠的第一材料膜和第二材料膜的第一垂直层叠，其中，第一垂直层叠通过第一保护图案划分为存储块并围绕第二保护图案；
在第一垂直层叠上形成包括交替地层叠的第三材料膜和第四材料膜的第二垂直层叠，其中，第二垂直层叠通过上块狭缝划分为存储块，其中，上块狭缝垂直地穿过第二垂直层叠以暴露第一保护图案，其中，上通道孔穿过第二垂直层叠以暴露第二保护图案；
经由上块狭缝和上通道孔除去第一保护图案和第二保护图案以分别形成第一空间和 第二空间；
填充上块狭缝和第一空间以形成块分隔器；以及
填充上通道孔和第二空间以形成通道结构，
其中，基本上同时执行填充上块狭缝和第一空间的步骤以及填充上通道孔和第二空间的步骤。
15.如权利要求14所述的方法，其中，形成块分隔器的步骤和形成通道结构的步骤包括：
在上通道孔、上块狭缝、第一空间和第二空间中的每个的内侧壁之上形成多层绝缘膜；以及
在多层绝缘膜之上形成半导体膜。
16.如权利要求15所述的方法，
其中，中空的中心形成在半导体膜的中心中，以及
其中，所述方法还包括在半导体膜的中空的中心中填充核心绝缘膜。
17.如权利要求16所述的方法，还包括：
在核心绝缘膜上方形成盖层导电膜。
18.如权利要求14所述的方法，还包括：
形成穿过第一垂直层叠和第二垂直层叠的线分割狭缝，其中，第一材料膜至第四材料膜通过线分割狭缝暴露；
经由线分割狭缝除去第二材料膜和第四材料膜，以分别形成第三空间和第四空间；
在第三空间和第四空间中填充第五材料图案；以及
用单个绝缘材料填充线分割狭缝。
19.如权利要求14所述的方法，还包括：
形成具有沟槽和耦接到沟槽的管通孔的管栅；以及
用牺牲材料填充沟槽和管通孔，
其中，形成通过第一保护图案划分并围绕第二保护图案的第一垂直堆叠的步骤包括：
在管栅上交替地层叠第一材料膜和第二材料膜；
形成下通道孔和下块狭缝，其中，下通道孔垂直地穿过第一垂直层叠并连接到管通孔，其中，下块狭缝垂直地穿过第一垂直层叠以将第一垂直层叠划分为存储块；
经由下通道孔除去牺牲材料以暴露管通孔和沟槽；以及
形成第一保护图案和第二保护图案，其中，第一保护图案填充下块狭缝，其中，每个第二保护图案填充下通道孔、管通孔和沟槽中的每个。
20.如权利要求19所述的方法，
其中，沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，其中，第二沟槽设置在比第一沟槽更高的水平处，
其中，管通孔包括第一对和第二对，
其中，第一对包括第一源极侧通道孔和第一漏极侧通道孔，
其中，第二对包括第二源极侧通道孔和第二漏极侧通道孔，
其中，第一源极侧通道孔和第一漏极侧通道孔耦接到第一沟槽，
其中，第二源极侧通道孔和第二漏极侧通道孔耦接到第二沟槽，以及
其中，第二源极侧通道孔和第二漏极侧通道孔两者都设置在第一源极侧通道孔和第一漏极侧通道孔之间。