一种新型太阳能电池的制备方法与流程

技术特征：
1.一种新型太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：a、衬底硅片的制备：衬底硅片的制备用物理提纯方法，首先取纯度2N的金属硅，经吹起造渣方法，除去金属元素和硼元素，得纯度3N的金属硅，纯度3N的金属硅经酸洗除去金属元素、硼元素和磷元素，再经铸锭的方法得纯度4N的硅锭，把硅锭切割成长156mm×宽156mm，厚度500μm的衬底硅片，所述衬底硅片的少子寿命为5μs，电阻率为2.4Ohmcm，其中，衬底硅片中主要杂质的要求：B<2ppmw、P<3ppmw、Fe<0.16ppmw、Al<0.2ppmw、Ca<0.2ppmw；b、生长氮化硅薄膜采用PECVD设备制备氮化硅薄膜，控制温度为450℃，氨气和硅烷的总流量为5.6slm,氨气和硅烷的流量比为8.5:1,气压为1700mTorr,功率为3800W,在衬底硅片上沉积氮化硅薄膜的厚度为80nm；c、生长多晶硅薄膜在真空条件下，衬底硅片的温度为650-900℃时，用石墨吸盘控制衬底硅片蘸取液态硅，在氮化硅薄膜上制备厚度为100μm的多晶硅薄膜，得太阳能电池片，所述液态硅的温度为1650℃，纯度为6N；d、退火对太阳能电池片进行退火处理,退火在通氢的真空电阻炉中进行，太阳能电池片依次在1350℃、1250℃、900℃、600℃和300℃下各进行保温退火30分钟，最后冷却至25℃；e、激光开孔在退火后的太阳能电池片背面用激光开孔，采用激光参数为200K-27A-4.5m/s的皮秒激光器,重复率为18％，平均能量为6W，单点能量为28μJ；f、PN结、减反膜和电极的制备采用常规工业化中晶体硅太阳能电池PN结、减反膜和电极的制备方法,完成太阳能电池的制备。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在b中，所述PECVD设备为德国Centrotherm公司生产并市售的低频管式PECVD设备。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在c中，所述真空条件的真空度为3×10-9Torr。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在e中，所述激光开孔的效果：线宽30μm,线距1mm,开孔率2.5％。