技术特征：
技术总结
本发明提供一种聚焦环和等离子体处理装置。该聚焦环围设在处理腔室中用于承载基片的基台外侧，包括第一环形台阶面和第二环形台阶面，第一环形台阶面和第二环形台阶面均位于聚焦环的面向基片的一侧，第二环形台阶面位于第一环形台阶面的内侧，并低于第一环形台阶面，第二环形台阶面上设置有凹凸结构。该聚焦环能够减少处理过程中沉积在基片背面边缘与第二环形台阶面之间的聚合物对基片背面的吸附，降低基片与聚合物粘连的发生几率，从而增加基片传输的稳定性，避免出现基片破碎；同时还能避免聚合物粘附在基片的背面，从而避免基片在传输过程中对传输系统造成污染，同时也避免基片在处理工艺过程中对处理工艺造成污染。
技术研发人员：李国荣
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2016.04.26
技术公布日：2017.11.03