1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)提供外周为大致圆形的半导体衬底；
(b)在所述半导体衬底上方形成待处理膜；
(c)在所述待处理膜上方形成化学增幅抗蚀剂层；
(d)执行第一晶片边缘曝光，在所述第一晶片边缘曝光中，用第一曝光用光照射位于与所述半导体衬底的所述外周相距第一宽度的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层；
(e)执行液体浸没曝光，在所述液体浸没曝光中，用第二曝光用光照射所述化学增幅抗蚀剂层；
(f)执行第二晶片边缘曝光，在所述第二晶片边缘曝光中，用第三曝光用光照射位于与所述半导体衬底的所述外周相距第二宽度的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层；
(g)在所述步骤(f)之后，将所述化学增幅抗蚀剂层显影，以通过去除位于用所述第二曝光用光和所述第三曝光用光照射的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层，形成具有第一图案的抗蚀剂图案；以及
(h)在所述步骤(g)之后，蚀刻所述待处理膜，使得所述待处理膜具有所述第一图案。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中，所述化学增幅抗蚀剂层是无顶部涂层抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中，在浸没液体被保持在透镜和所述化学增幅抗蚀剂层之间的状态下，并且在相对于所述透镜扫描所述半导体衬底的同时，执行所述液体浸没曝光。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，
其中，在所述步骤(e)中，在以下状态下执行所述液体浸没曝光：将晶片台引导件布置成包围所述半导体衬底的圆周并且处于与所述半导体衬底的所述外周间隔预定距离的位置；并且所述浸没液体跨越所述晶片台引导件和所述半导体衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中，所述第一曝光用光的波长比所述第二曝光用光的波长长。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，进一步在所述步骤(d)和所述步骤(e)之间包括以下步骤：
(i)用去离子水清洗所述化学增幅抗蚀剂层的表面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，进一步在所述步骤(d)和所述步骤(e)之间包括以下步骤：
(j)在第一温度下对所述化学增幅抗蚀剂层执行第一热处理。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，进一步在所述步骤(f)和所述步骤(g)之间包括以下步骤：
(k)在第二温度下对所述化学增幅抗蚀剂层执行第二热处理，
其中，所述第一温度低于所述第二温度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，进一步在所述步骤(h)之后包括以下步骤：
(l)在所述半导体衬底中形成具有所述第一图案的沟槽；以及
(m)通过将绝缘膜选择性嵌入所述沟槽中，形成元件隔离区。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中，所述待处理膜是导体膜，以及
其中，所述制造方法进一步在所述步骤(h)之后包括以下步骤：
(n)在位于已经被执行蚀刻的所述待处理膜的两端处的所述半导体衬底的主表面上方，形成一对半导体层。
12.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)提供外周为大致圆形的半导体衬底；
(b)在所述半导体衬底上方形成待处理膜；
(c)在所述待处理膜上方形成化学增幅抗蚀剂层；
(d)执行第一晶片边缘曝光，在所述第一晶片边缘曝光中，用第一曝光用光照射位于与所述半导体衬底的所述外周相距第一宽度的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层；
(e)执行第二晶片边缘曝光，在所述第二晶片边缘曝光中，用第三曝光用光照射位于与所述半导体衬底的所述外周相距第二宽度的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层；
(f)执行液体浸没曝光，在所述液体浸没曝光中，用第二曝光用光照射所述化学增幅抗蚀剂层；
(g)在所述步骤(f)之后，将所述化学增幅抗蚀剂层显影，以通过去除位于用所述第二曝光用光和所述第三曝光用光照射的区域中的所述化学增幅抗蚀剂层，形成具有第一图案的抗蚀剂图案；以及
(h)在所述步骤(g)之后，蚀刻所述待处理膜，使得所述待处理膜具有所述第一图案。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，
其中，在所述步骤(d)之后，执行所述步骤(e)，以及
其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。
14.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，
其中，在所述步骤(e)之后，执行所述步骤(d)，以及
其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。