1.一种有机发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括有源区和焊盘区；
在所述基板的所述有源区中的薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括栅电极；
在所述TFT上的阳极电极；
在所述阳极电极上的有机发光层；
在所述有机发光层上的阴极电极；
辅助电极，所述辅助电极连接至所述阴极电极并且设置在与所述阳极电极的层相同的层上；
在所述基板的所述焊盘区中的信号焊盘，所述信号焊盘设置在与所述栅电极的层相同的层上；以及
焊盘电极，所述焊盘电极连接至所述信号焊盘以覆盖所述信号焊盘的顶部来用于防止所述信号焊盘的顶部被腐蚀。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述焊盘电极包括下焊盘电极、上焊盘电极和盖焊盘电极，以及
所述盖焊盘电极设置为覆盖所述上焊盘电极的顶表面和侧表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中
所述下焊盘电极和所述盖焊盘电极中的每一个的氧化速率小于所述上焊盘电极的氧化速率，以及
所述上焊盘电极的电阻小于所述下焊盘电极和所述盖焊盘电极中的每一个的电阻。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中
所述TFT包括源电极，所述源电极包括下源电极和上源电极，以及
所述下焊盘电极包含与所述下源电极的材料相同的材料，以及
所述上焊盘电极包含与所述上源电极的材料相同的材料。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中
所述阳极电极包括第一阳极电极，所述第一阳极电极包括第一下阳极 电极和第一上阳极电极，以及
所述盖焊盘电极包含与所述第一下阳极电极的材料相同的材料。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述阳极电极还包括设置为覆盖所述第一阳极电极的顶表面和侧表面的第二阳极电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中
所述第二阳极电极包括第二下阳极电极、第二中心阳极电极和第二上阳极电极，以及
所述第二下阳极电极和所述第二上阳极电极中的每一个的氧化速率小于所述第二中心阳极电极的氧化速率，以及
所述第二中心阳极电极的电阻小于所述第二下阳极电极和所述第二上阳极电极中的每一个的电阻。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述信号焊盘包括下信号焊盘和在所述下信号焊盘上的上信号焊盘，以及
所述下信号焊盘的氧化速率小于所述上信号焊盘的氧化速率，以及
所述上信号焊盘的电阻小于所述下信号焊盘的电阻。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极包括第一辅助电极和设置为覆盖所述第一辅助电极的顶表面和侧表面的第二辅助电极。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，还包括：
堤部，所述堤部在所述第二辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上；以及
在所述第二辅助电极上的隔壁，所述隔壁与所述堤部隔开，以及
阴极电极，所述阴极电极通过在所述堤部与所述隔壁之间的间隔空间连接至所述第二辅助电极。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述TFT包括源电极，所述源电极包括下源电极和上源电极，以及
所述上源电极的厚度比所述下源电极的厚度厚。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述阳极电极包括第一阳极电极，所述第一阳极电极包括第一下阳极电极和第一上阳极电极，以及
所述第一上阳极电极的厚度比所述第一下阳极电极的厚度厚。
13.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中
所述第一辅助电极包括第一上辅助电极和第一下辅助电极，以及
所述第一上辅助电极的厚度比所述第一下辅助电极的厚度厚。
14.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中
所述第二中心阳极电极的厚度比所述第二下阳极电极和所述第二上阳极电极中的每一个的厚度厚。
15.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中
所述第二辅助电极包括第二下辅助电极、第二中心辅助电极和第二上辅助电极。
16.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，还包括：
堤部，所述堤部在所述第二阳极电极的一侧和另一侧中的每一个上。
17.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中
所述隔壁的顶部的宽度大于所述隔壁的底部的宽度。
18.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
在所述信号焊盘上的层间电介质。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中
所述层间电介质形成为露出所述信号焊盘的顶部并且覆盖所述信号焊盘的侧表面。
20.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述焊盘电极包括下焊盘电极、上焊盘电极和盖焊盘电极，以及
所述上焊盘电极的厚度比所述下焊盘电极和所述盖焊盘电极中的每一个的厚度厚。
21.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在基板的有源区中形成薄膜晶体管(TFT)并且在所述基板的焊盘区中形成信号焊盘以及连接至所述信号焊盘的第一焊盘电极；
在所述TFT和所述第一焊盘电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成平坦化层；
去除所述钝化层的某些区域以同时形成将所述TFT暴露于外部的区域以及将所述第一焊盘电极暴露于外部的区域；
形成连接至所述TFT的第一阳极电极、与所述第一阳极电极隔开的第一辅助电极、以及连接至所述第一焊盘电极并且覆盖所露出的第一焊盘电极的第二焊盘电极；以及
形成覆盖所述第一阳极电极的顶表面和侧表面的第二阳极电极、以及覆盖所述第一辅助电极的顶表面和侧表面的第二辅助电极。
22.根据权利要求21所述的方法，其中
所述TFT包括栅电极和源电极；
所述信号焊盘与所述栅电极同时形成；以及
所述第一焊盘电极与所述源电极同时形成。
23.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述第二焊盘电极包括在形成所述第二阳极电极和所述第二辅助电极的工艺中，通过利用蚀刻剂同时地去除设置在所述第二焊盘电极上的元件。
24.根据权利要求21所述的方法，还包括：
在所述第二辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上形成堤部以及在所述第二辅助电极的顶部上形成隔壁；
在所述第二阳极电极上形成有机发光层，所述有机发光层不沉积在所述堤部与所述隔壁之间的间隔空间中；以及
形成连接至所述第二辅助电极的阴极电极，所述阴极电极沉积在所述堤部与所述隔壁之间的间隔空间中。