1.一种半导体器件，包括：
衬底；
衬底上的多根第一导线，第一导线在第一方向上延伸；
第一导线上的多个第一结构，各个第一结构彼此间隔开，每个第一结构包括按次序堆叠的开关图案和第一电极，并且各个开关图案的顶表面实质上彼此共面，各个第一电极的顶表面实质上彼此共面；
衬底上的第一绝缘图案，第一绝缘图案在第一结构之间在第一方向上延伸，以在实质上垂直于第一方向的第二方向上填充第一结构之间的空间，并且第一绝缘图案的第一顶表面高于第一结构的顶表面；
衬底上的第二绝缘图案，第二绝缘图案在第一结构之间在第二方向上延伸以在第一方向上填充第一结构之间的空间，并且第二绝缘图案的第二顶表面高于每个第一结构的顶表面；
第一结构上的可变电阻图案，可变电阻图案填充由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口；以及
可变电阻图案上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第一间隔件，其位于第一结构上方的第一绝缘图案的上侧壁上；以及
第二间隔件，其位于第一结构上方的第二绝缘图案的上侧壁上。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，可变电阻图案的底表面的面积小于第一结构的顶表面的面积。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，可变电阻图案的顶表面与第一绝缘图案的第一顶表面实质上共面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二电极在第二 方向上延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二顶表面高于第一顶表面，并且
第二电极在第一绝缘图案上方的第二绝缘图案的突出部分之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第二电极上的第二导电图案，其中，
第二导电图案的电阻低于第二电极的电阻，并且
第二导电图案在第二方向上延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，可变电阻图案包括基于硫族化物的材料。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二电极具有柱形。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
第一顶表面和第二顶表面实质上彼此共面，并且
第二电极在由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口中位于可变电阻图案上。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一导线在第二方向上的上部宽度与第一结构在第二方向上的下部宽度实质上相同。
12.一种半导体器件，包括：
衬底；
衬底上的多根第一导线，第一导线在第一方向上延伸；
第一导线上的多个第一结构，各个第一结构彼此间隔开，每个 第一结构包括按次序堆叠的开关图案和第一电极，并且各个开关图案的顶表面实质上彼此共面，各个第一电极的顶表面实质上彼此共面；
衬底上的第一绝缘图案，第一绝缘图案在第一方向上延伸，以在实质上垂直于第一方向的第二方向上填充第一结构之间的空间，并且第一绝缘图案的第一顶表面高于第一结构的顶表面；
衬底上的第二绝缘图案，第二绝缘图案在第二方向上延伸，以在第一方向上填充第一结构之间的空间，并且第二绝缘图案的第二顶表面高于第一结构的顶表面；
第一间隔件，其位于第一结构上方的第一绝缘图案的上侧壁上；
第二间隔件，其位于第一结构上方的第二绝缘图案的上侧壁上；
第一结构上的可变电阻图案，可变电阻图案填充由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口；以及
可变电阻图案上的第二电极。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，第二电极在第二方向上延伸。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，第二电极具有柱形。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，可变电阻图案包括基于硫族化物的材料。
16.一种半导体器件，包括：
衬底；
衬底上的第一导线，各个第一导线在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；
第一导线上的第一结构，各个第一结构在第一导线上在第一方向上彼此间隔开；
第一结构上的可变电阻图案，该可变电阻图案包括分别位于第 一结构上的可变电阻结构；
位于可变电阻图案上方的衬底上的电极，所述电极在第一方向上彼此间隔开并且在第二方向上延伸，所述电极在第一导线上方与其交叉；
衬底上的第一绝缘图案，该第一绝缘图案在电极的底表面与衬底的通过第一导线暴露的一部分之间延伸；以及
第一导线上的第二绝缘图案，该第二绝缘图案在第二方向上延伸，该第二绝缘图案在相邻的第一结构对之间、相邻的可变电阻结构对之间和相邻的电极对之间延伸。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，还包括：
第一结构上的第一间隔件；以及
第一结构上的第二间隔件，其中，
第一结构包括开关结构上的第一电极，
位于可变电阻图案上方的衬底上的电极是第二电极，
在第一结构中的每一个上，两个第一间隔件在第二方向上彼此间隔开，
在第一结构中的每一个上，两个第二间隔件在第一方向上彼此间隔开，
第一结构上的可变电阻结构位于所述两个第一间隔件与所述两个第二间隔件之间，并且
第二间隔件的高度大于第一间隔件的高度。
18.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，可变电阻结构的底部的面积小于可变电阻结构的顶部的面积。
19.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，第一绝缘图案在相邻的第一导线对之间延伸，并且
第一绝缘图案的底表面比第二绝缘图案的底表面更加靠近衬底。
20.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，第二绝缘图案的顶表面与电极的顶表面处于相同的水平高度。