技术总结
本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底上的第一导线以及第一绝缘图案和第二绝缘图案；在第一导线上彼此间隔开的第一结构；第一结构上的可变电阻图案以及可变电阻图案上的第二电极。第一导线在第一方向上延伸。第一结构包括按次序堆叠的开关图案和第一电极。第一绝缘图案在第二方向上填充第一结构之间的空间，并且第一绝缘图案的第一顶表面高于第一结构的顶表面。第二绝缘图案在第一方向上填充第一结构之间的空间，并且第二绝缘图案的第二顶表面高于第一结构的顶表面。可变电阻图案填充由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口。
技术研发人员：殷圣豪
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610388401
技术研发日：2016.06.02
技术公布日：2016.12.21