1.一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：
向利用包含卤族元素的清洁气体将附着于内部的构件的氧化膜除去后的处理室内，以第一处理条件供给包含氢及氧的吹扫气体并进行排气的工序；和
在以所述第一处理条件供给所述吹扫气体并进行排气的工序之后，以与所述第一处理条件不同的第二处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的工序，
所述第一处理条件是下述处理条件：与所述第二处理条件相比，将所述清洁气体供给至所述处理室内时残留于所述处理室内的所述卤族元素与所述吹扫气体的反应性相对高。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理条件中的所述处理室内的温度低于所述第一处理条件中的所述处理室内的温度。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使氧化膜附着于所述内部的构件时的所述处理室内的温度为第一温度，使利用所述清洁气体将所述氧化膜除去时的所述处理室内的温度为比所述第一温度高的第二温度，在所述第一处理条件及所述第二处理条件中，使所述处理室内的温度从所述第二温度缓缓降低到接近所述第一温度。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理条件中的所述处理室内的温度为与利用所述清洁气体将所述氧化膜除去时相同的温度。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
在以所述第一处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的工序之前，进行对收纳于所述处理室内的衬底供给原料气体和含氧气体而在所述衬底上形成氧化膜的工序、和将所述清洁气体供给至所述处理室内而将附着于所述处理室内的构件上的所述氧化 膜除去的工序，
除去所述氧化膜的工序在温度比在所述衬底上形成所述氧化膜的工序高的条件下进行。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含氧气体和所述吹扫气体为相同的气体。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行多次以所述第一处理条件供给所述吹扫气体并进行排气的工序之后，进行多次以所述第二处理条件供给所述吹扫气体并进行排气的工序。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理条件中的所述吹扫气体的供给量少于所述第一处理条件中的所述吹扫气体的供给量。
9.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，将所述含氧气体供给至存在所述衬底的区域，
在以所述第一处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的工序及以所述第二处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的工序中，将所述吹扫气体供给至存在所述衬底的区域、及所述处理室的下部且不存在所述衬底的区域。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在以所述第一处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的工序及以所述第二处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的工序中，在对所述处理室内的压力进行减压控制的状态下，瞬时供给所述吹扫气体。
11.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述清洁气体从与供给所述原料气体的管线独立的管线供给至所述处理室内。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述清洁气体也从与所述独立的管线分开的供给所述原料气体的管线供给至所述处理室内。
13.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述吹 扫气体从与供给所述原料气体的管线独立的管线及供给所述原料气体的管线供给至所述处理室内。
14.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，包括下述工序：
向所述处理室内搬入衬底的工序；
在使所述衬底成为第一温度的状态下，对所述衬底供给原料气体和含氧气体而在所述衬底上形成氧化膜的工序；
将形成有所述氧化膜的所述衬底从所述处理室搬出的工序；
在将所述处理室维持在高于所述第一温度的第二温度的状态下，向所述处理室内供给所述清洁气体而将附着于所述处理室内的构件上的所述氧化膜除去的工序；
将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气而将残留于所述处理室内的所述卤族元素除去的工序，该工序包括以所述第一处理条件供给所述吹扫气体并进行排气的工序和以所述第二处理条件供给所述吹扫气体并进行排气的工序，
在除去所述卤族元素的工序中，使所述处理室内的温度从所述第二温度缓缓降低到接近所述第一温度。
15.一种衬底处理装置，其包括：
处理室，对衬底进行处理；
吹扫气体供给系统，向所述处理室内供给包含氢及氧的吹扫气体；
排气系统，对所述处理室内进行排气；
控制部，构成为以下述方式对所述吹扫气体供给系统及所述排气系统进行控制，所述方式为：进行向利用包含卤族元素的清洁气体将处理所述衬底时附着于所述处理室内的构件上的氧化膜除去后的所述处理室内以第一处理条件供给所述吹扫气体并进行排气的处理、和以与第一处理条件不同的第二处理条件将所述吹扫气体供给至所述处理室内并进行排气的处理，所述第一处理条件是与所述第二处理条件相比将所述清洁气体供给至所述处理室内时残留于所述处理室内 的所述卤族元素与所述吹扫气体的反应性相对的处理条件。