等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法与流程

本发明涉及对衬底实施等离子体处理的等离子体处理装置、等离子体处理装置的控制方法和对用于控制等离子体处理装置的程序进行存储的程序存储介质。

背景技术：

在平板显示器(FPD)用的面板制造工序中，使用等离子体处理装置，对玻璃衬底等的衬底实施利用等离子体的成膜处理和蚀刻处理、灰化处理等的精细加工，由此，在衬底上形成像素的器件和电极、配线等。在等离子体处理装置中，例如在能够减压的处理室的内部配置的具有作为下部电极的基座的载置台之上载置衬底，一边对处理室供给处理气体一边对基座供给高频电力，由此，在处理室内的衬底上方产生等离子体。

作为等离子体处理装置之一具有电感耦合型等离子体处理装置，作为其一个例子，已知有如下结构：利用由电介质构成的窗部件，构成与配置在腔室的内部的载置台的衬底载置面相对的腔室的上壁，在窗部件上设置有涡旋状等的天线(高频感应线圈)的构造。

伴随近年的衬底的大型化，等离子体处理装置也不断大型化，因此，构成腔室上壁的窗部件也不断大型化(大面积化)。在此，窗部件的温度由于来自生成的等离子体的热而上升时，在窗部件产生温度从等离子体密度大的中央部(天线正下方)向等离子体密度小的周缘部(天线的外周部)去而变低的温度分布。由于这样的温度分布而在窗部件产生应力，窗部件由于该应力而发生损坏。

作为避免窗部件的温度上升时的损坏的方法，提出了对窗部件的周边部进行加热的方法和对窗部件的中央部进行冷却的方法等(例如参照专利文献1)。

但是，在上述现有技术中，需要对窗部件追加冷却装置或者加热装置，因此，存在装置构成变得复杂或者装置整体变得大型化的问题。对此，考虑通过设定处理条件以使得在窗部件产生的温度差不变得过大，从而不追加冷却装置或者加热装置也能够避免窗部件的损坏的方法。但是，能够避免窗部件的损坏的处理条件并没有明确的基准，另外，根据窗部件的大小能够设定的处理条件不同，因此，处理条件的设定，在实际情况中由操作者凭感觉或经验来进行。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-22855号公报

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种不必基于操作者的感觉或经验设定处理条件就能够避免窗部件的损坏的等离子体处理装置。另外，本发明的目的还在于提供用于避免窗部件的损坏的等离子体处理装置的控制方法和存储用于执行该控制的程序的存储介质。

为了实现上述目的，第一方面记载的等离子体处理装置，其在腔室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体，从而对收纳在上述腔室内的衬底实施等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：使上述电感耦合等离子体产生于上述等离子体生成区域的电感耦合天线；配置在上述等离子体生成区域与上述电感耦合天线之间的窗部件；和控制对上述衬底执行的等离子体处理的控制部，上述控制部包括：存储对上述衬底执行的等离子体处理的处理方案的存储部；执行部，其按照存储于上述存储部的处理方案，对上述衬底执行等离子体处理；输入部，其接收对上述衬底执行的等离子体处理的处理方案的输入；判断部，其在按照上述输入部接收到的处理方案执行了等离子体处理时，判断上述窗部件是否发生损坏；和登记部，其在上述判断部判断上述窗部件发生损坏的情况下，拒绝将上述处理方案登记到上述存储部，在上述判断部判断上述窗部件没有发生损坏的情况下，将上述处理方案登记到上述存储部。

第二方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第一方面记载的等离子体处理装置中，上述窗部件由电介质形成，上述判断部判断上述电介质是否发生损坏。

第三方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第一方面记载的等离子体处理装置中，上述窗部件具有电介质和设置在上述电介质的上述等离子体生成区域侧的电介质罩，上述判断部判断上述电介质罩是否发生损坏。

第四方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第一方面记载的等离子体处理装置中，上述窗部件具有金属和设置在上述金属的上述等离子体生成区域侧的电介质罩，上述判断部判断上述电介质罩是否发生损坏。

第五方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第一方面至第四方面记载的等离子体处理装置中，上述判断部，对于按照上述输入部接收到的处理方案反复执行等离子体处理而使上述窗部件的温度成为平衡状态时的、设置于上述窗部件的多个温度预测点的预测到达温度之差，使用预先确定的计算式进行计算，在上述差比规定的阈值小的情况下，判断上述窗部件没有发生损坏。

第六方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第五方面记载的等离子体处理装置中，上述多个温度预测点至少包括上述电感耦合天线的正下方的1个点和上述窗部件的周缘部的1个点。

第七方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第五方面记载的等离子体处理装置中，上述多个温度预测点至少包括上述电感耦合天线的正下方的1个点和上述窗部件的周缘部的2个点，上述判断部计算上述电感耦合天线的正下方的1个点的预测到达温度与上述窗部件的周缘部的2个点各自的预测到达温度的第一差和第二差，在上述第一差比第一阈值小且上述第二差比第二阈值小的情况下，判断上述窗部件没有发生损坏。

第八方面记载的等离子体处理装置，其特征在于，在第五方面记载的等离子体处理装置中，上述多个温度预测点至少包括上述电感耦合天线的正下方的1个点和上述窗部件的周缘部的2个点，上述判断部计算上述电感耦合天线的正下方的1个点的预测到达温度与上述窗部件的周缘部的2个点各自的预测到达温度的第一差和第二差，在上述第一差与上述第二差之和比第三阈值小的情况下，判断上述窗部件没有发生损坏。

为了实现上述目的，第九方面记载的等离子体处理装置的控制方法，其中，上述等离子体处理装置在腔室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体，从而对收纳于上述腔室内的衬底实施等离子体处理，上述等离子体处理装置的控制方法的特征在于，包括：输入步骤，接收对上述衬底执行的等离子体处理的处理方案的输入；和判断步骤，在按照上述处理方案执行了等离子体处理时，判断配置在上述等离子体生成区域与上述电感耦合天线之间的窗部件所包含的电介质是否发生损坏；登记步骤，在上述判断步骤判断上述窗部件发生损坏的情况下，不将上述处理方案登记到上述存储部，在判断上述窗部件没有发生损坏的情况下，将上述处理方案登记到上述存储部；和执行步骤，按照通过上述登记步骤在上述存储部登记的处理方案来对上述衬底执行等离子体处理，在上述判断步骤中，对于按照上述处理方案反复执行等离子体处理而使上述窗部件的温度成为平衡状态时的、设置于上述窗部件的多个温度预测点的预测到达温度之差，使用预先确定的计算式进行计算，在上述差比规定的阈值小的情况下，判断上述窗部件没有发生损坏。

为了实现上述目的，第十方面记载的存储介质，其是存储用于使计算机执行等离子体处理装置中执行的控制步骤的程序，其中，上述等离子体处理装置在腔室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体，从而对收纳在上述腔室内的衬底实施等离子体处理，上述控制步骤包括：接收对上述衬底执行的等离子体处理的处理方案的输入的输入步骤；和在按照上述处理方案执行了等离子体处理时，判断配置在上述等离子体生成区域与上述电感耦合天线之间的窗部件所包含的电介质是否发生损坏的判断步骤；在上述判断步骤中判断出上述窗部件发生损坏的情况下不将上述处理方案登记到存储部，在判断出上述窗部件没有发生损坏的情况下将上述处理方案登记到存储部的登记步骤；和按照通过上述登记步骤存储在上述存储部的处理方案对上述衬底执行等离子体处理的执行步骤，在上述判断步骤中，对于按照上述输入部所接收的处理方案反复执行等离子体处理而使上述窗部件的温度成为平衡状态时的、设定于上述窗部件的多个温度预测点的预测到达温度之差，使用预先确定的计算式进行计算，在上述差比规定的阈值小的情况下，判断上述窗部件没有发生损坏。

发明效果

根据本发明，在等离子体处理装置的窗部件设定多个温度预测点，基于被输入的处理方案，计算由于来自等离子体的热而使窗部件的温度上升时的温度预测点之间的预测到达温度差，将其与阈值进行比较，基于该处理方案实施了等离子体处理的情况下，判断窗部件是否发生损坏。其结果，在判断窗部件有可能发生损坏的情况下，拒绝该处理方案向控制装置的登记，使得按照该处理方案的等离子体处理不能够执行。由此，不必基于操作者的感觉或经验设定处理条件就能够避免窗部件的损坏。

附图说明

图1是表示具有本发明的实施方式的等离子体处理装置的衬底处理系统的概略结构的立体图。

图2是表示图1的衬底处理系统所具备的等离子体处理装置的概略结构的截面图。

图3是图1的衬底处理系统的控制装置中的判断处理方案可否登记的处理的流程图。

图4是示意地表示对图2的等离子体处理装置所具备的窗部件设定的温度预测点的图和示意地表示温度预测点的温度计算模型的图。

图5是分别示意地表示图4所示的温度预测点的预测到达温度的计算结果的图和预测到达温度差比阈值大的例子和比阈值小的例子的图。

附图标记说明

10：衬底处理系统，11：等离子体处理装置，21：载置台，22：窗部件，41：等离子体生成用高频电源，44：装置控制器，50：电感耦合天线，100：控制装置，101：微型计算机，102：存储部，103：操作部。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。

图1是表示具有本发明的实施方式的等离子体处理装置11的衬底处理系统10的概略结构的立体图。

衬底处理系统10包括对玻璃衬底等的FPD用的衬底G实施等离子体处理例如等离子体蚀刻的3个等离子体处理装置11。3个等离子体处理装置11各自经由闸阀13与水平截面为多边形状(例如、水平截面为矩形)的搬送室12的侧面连结。此外，等离子体处理装置11的结构参照图2在后文述说。

搬送室12还经由闸阀15与加载互锁真空室14连结。加载互锁真空室14经由闸阀17与衬底搬出入机构16相邻设置。在衬底搬出入机构16相邻设置有2个分度器18。分度器18用于载置收纳衬底G的盒19。盒19能够收纳多个(例如25个)衬底G。

衬底处理系统10的整体的动作由控制装置100控制。控制装置100包括执行运算处理的微型计算机101和存储微型计算机101执行的程序、参数、等离子体处理的处理方案的存储部102。另外，控制装置100作为用户接口接收操作者的操作，另外，包括向操作者提供衬底处理系统10中的各种信息的操作部103。

在衬底处理系统10中对衬底G实施等离子体蚀刻时，首先，由衬底搬出入机构16将收纳于盒19中的衬底G搬入到加载互锁真空室14的内部。此时，在加载互锁真空室14的内部存在等离子体蚀刻完成的衬底G时，该等离子体蚀刻完成的衬底G从加载互锁真空室14内被搬出，与未蚀刻的衬底G置换。向加载互锁真空室14的内部搬入衬底G时，闸阀17被关闭。

接着，在加载互锁真空室14的内部被减压至规定的真空度后，将搬送室12与加载互锁真空室14之间的闸阀15打开。然后，加载互锁真空室14的内部的衬底G由搬送室12的内部的搬送机构(未图示)搬入到搬送室12的内部后，将闸阀15关闭。

接着，搬送室12与等离子体处理装置11之间的闸阀13被打开，由搬送机构将未蚀刻的衬底G搬入到等离子体处理装置11的内部。此时，当在等离子体处理装置11的内部存在等离子体蚀刻完成的衬底G时，该等离子体蚀刻完成的衬底G被搬出，与未蚀刻的衬底G置换。之后，利用等离子体处理装置11对被搬入的衬底G实施等离子体蚀刻。

图2是表示等离子体处理装置11的概略结构的截面图。等离子体处理装置11具体来说为电感耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置11包括：大致矩形状的腔室20(处理室)；配置在腔室20内的下方，将衬底G载置在顶部的载置台21；作为腔室20的上壁与载置台21相对配置的窗部件22；和配置在窗部件22的上侧的由涡旋状的导体形成的电感耦合天线50。在载置台21与窗部件22之间形成作为生成电感耦合等离子体的区域的处理空间S。

载置台21内置由导体形成的基座23，基座23经由匹配器25与偏置用高频电源24连接。另外，在载置台21的上部配置由层状的电介质形成的静电吸附部(ESC)26，静电吸附部26具有以由上层的电介质层和下层的电介质层夹着的方式内置的静电吸附电极27。静电吸附电极27与直流电源28连接，当直流电源28对静电吸附电极27施加直流电压时，静电吸附部26通过静电力对载置于载置台21的衬底G进行静电吸附。偏置用高频电源24将频率比较低的高频电力供给到基座23，使被静电吸附部26静电吸附的衬底G产生直流偏置电位。此外，静电吸附部26可以形成为板部件，另外，也可以在载置台21上作为喷镀膜形成。

载置台21内置对基座23进行温度调节的冷却介质流路29，冷却介质流路29与冷却介质供给机构(未图示)连接。另外，载置台21具有用于促进载置台21与衬底G之间的传热的传热气体供给机构30。传热气体供给机构30具有传热气体供给源31和气体流量控制器32，将传热气体向载置台21供给。载置台21包括：在上部开口的多个传热气体孔33；和使各个传热气体孔33与传热气体供给机构30连通的传热气体供给路径34。在载置台21，在被静电吸附于静电吸附部26的衬底G的背面与载置台21的上部之间产生微小的间隙，但是，从传热气体孔33供给的传热气体充填于该间隙，由此，能够提高衬底G与载置台21的热传递或者热转移效率，能够提高利用载置台21进行的衬底G的冷却效率。

用于对腔室20内供给处理气体的气体供给口40设置在腔室20的侧壁上部，气体供给口40与处理气体供给机构35连接。处理气体供给机构35具有处理气体供给源36、气体流量控制器37和压力控制阀38。从处理气体供给机构35供给到气体供给口40的处理气体被从气体供给口40导入到处理空间S。此外，气体供给口40也能够设置在窗部件22。

电感耦合天线50经由匹配器42与等离子体生成用高频电源41连接，等离子体生成用高频电源41将频率较高的等离子体生成用的高频电力供给到电感耦合天线50。被供给等离子体生成用的高频电力的电感耦合天线50在处理空间S产生电场。

窗部件22由电介质或者金属形成。窗部件22在由电介质形成的情况下，例如由石英或者陶瓷等形成。窗部件22在由金属形成的情况下，例如由铝等形成。此外，具有窗部件22由多个部件形成的情况，在该情况下，为了保护设置在部件间的部件(例如由金属形成的部件)不受等离子体的影响，而在窗部件22的处理空间S侧设置有电介质罩。电介质罩例如由石英或者陶瓷形成。

等离子体处理装置11包括与腔室20的内部连通的排气管43，能够通过排气管43排出腔室20的内部的气体，使腔室20的内部为规定的减压状态。

等离子体处理装置11的各构成要素的动作，在基于衬底处理系统10的控制装置100进行的统一的控制下，通过装置控制器44执行规定的程序来进行控制。

在利用等离子体处理装置11对衬底G实施等离子体蚀刻时，将处理空间S减压，将处理气体导入到处理空间S，并且，向电感耦合天线50供给等离子体生成用的高频电力。由此，在处理空间S产生电场。被导入到处理空间S的处理气体被电场激发而生成等离子体，等离子体中的阳离子被隔着载置台21在衬底G产生的直流偏置电位引到衬底G，对衬底G实施等离子体蚀刻。另外，等离子体中的自由基到达衬底G对衬底G实施等离子体蚀刻。

在等离子体处理装置11中，以电感耦合天线50覆盖衬底G的整个面的方式配置，由此，能够以覆盖衬底G的整个面的方式生成等离子体，因此，能够对衬底G的整个面均匀地实施等离子体蚀刻。此时，窗部件22的温度因来自等离子体向窗部件22的热而上升，产生温度从等离子体的密度大的电感耦合天线50正下方的中央部向等离子体的密度小的周缘部去而变低的温度分布。因该温度分布而导致以下问题：在构成窗部件22的电介质(由电介质形成的窗部件22自身或覆盖窗部件22的电介质罩)产生因不均匀的热膨胀导致的三维的变形并且产生内部应力，由于产生的内部应力而导致构成窗部件22的电介质发生损坏。

在此，为了在等离子体处理装置11中执行操作者所期望的等离子体处理，操作者操作操作部103，将一系列的处理条件汇总而成的处理方案输入控制装置100。接着，被输入的处理方案被存储在控制装置100所具备的半导体存储器等存储部102，被登记于控制装置100。控制装置100所具备的微型计算机101控制装置控制器44，使得按照登记的处理方案执行等离子体处理。

本实施方式中，在处理方案被输入控制装置100时，按照输入的处理方案执行等离子体处理之前，假设在按照输入的处理方案执行了等离子体处理的情况下，由微型计算机101判断在构成窗部件22的电介质是否发生损坏。接着，在判断为在构成窗部件22的电介质发生损坏的情况下，拒绝该处理方案向控制装置100的登记，使得该处理方案不能够执行，由此，避免构成窗部件22的电介质的损坏。以下，对其构成进行说明。

控制装置100将用于输入在等离子体处理装置11中执行的等离子体处理的处理方案的程序(以下称为“处理方案输入程序”)和用于避免构成窗部件22的电介质的损坏(以下称为“窗部件22的损坏”)的程序(以下称为“损坏避免程序”)，存储于半导体存储器或硬盘等的存储部102，这些程序由控制装置100的微型计算机101执行。此外，控制装置100具有作为用户接口的操作部103，操作部103具有例如操作画面(触摸面板)、操作按钮、操作键等。

图3是控制装置100中的判断处理方案可否登记的处理的流程图。最初，在步骤S1中，衬底处理系统10的操作者操作设置在控制装置100的操作画面、操作按钮、操作键，使处理方案输入程序启动，输入由等离子体处理装置11执行的等离子体处理的处理方案。在处理方案输入中，新制作处理方案，或者在控制装置100中编集已登记的处理方案。在此，处理方案输入也包括经由通信线路从外部向控制装置100传送处理方案。处理方案没有特别限定，能够由处理室内的压力调整(处理气体的导入和排气(抽真空))图案、高频电力(频率、电压)的施加图案等构成。处理方案输入能够通过周知的方法进行，因此省略说明。

在步骤S1中，随着处理方案输入程序的启动，损坏避免程序也启动。在接着的步骤S2中，衬底处理系统10的操作者尝试步骤S1中输入的处理方案向控制装置100的登记。该登记的尝试，当构成为例如在用于处理方案输入的操作画面显示“登记”按钮时，通过按压该“登记”按钮能够开始。

接着，在步骤S3中，控制装置100对在步骤S1中输入的处理方案执行损坏避免程序，计算对于窗部件22预先确定的多个温度预测点的预测到达温度。在接着的步骤S4中，控制装置100通过执行中的损坏避免程序求出在步骤S3中计算出的多个温度预测点的预测到达温度之差(预测到达温度差)，将预测到达温度差与预先确定的阈值进行比较，判断预测到达温度差是否比阈值小。此外，对多个温度预测点、预测到达温度和阈值在后文详细述说。

控制装置100，在预测到达温度差比阈值小的情况(在S4中为：是)下，使处理前进到步骤S5，在预测到达温度差为阈值以上的情况(在S4中为：否)下，使处理前进到步骤S6。在步骤S5中，控制装置100允许步骤S1中输入的处理方案的登记，将处理方案登记。此时，在操作画面中显示表示处理方案登记正常完成的信息。接着，通过步骤S5，该处理结束。此外，在登记另一处理方案的情况下，操作者从步骤S1重新开始处理即可。另一方面，在步骤S6中，控制装置100拒绝步骤S1中输入的处理方案的登记，在操作画面显示表示无法进行处理方案登记的信息，并且，在操作画面显示要求处理方案的编辑的信息。控制装置100在步骤S6后使处理返回步骤S1。

对于上述的步骤S3、S4的处理进行具体说明。图4(a)是示意地表示对窗部件22设定的温度预测点的图。在此，在窗部件22的中心位置设定温度预测点P1，在长边侧周缘的中心设定温度预测点P2。电感耦合天线50的正下方的温度预测点P1，作为一个例子设定为在等离子体处理时窗部件22的温度比其它的位置相对高的位置，周缘部的温度预测点P2，作为一个例子设定为在等离子体处理时窗部件22的温度比其它的位置相对低的位置。

此外，在等离子体处理时，窗部件22中的相对其它的部位成为高温的位置和成为低温的位置分别取决于电感耦合天线50的图案。例如在不是图4(a)所示的1条的涡旋状的天线，而是多个电感耦合天线在窗部件22上排列为1列或多列的结构的情况下，并不一定是窗部件22的中央为相对最高温度的位置。因此，温度测定点，与电感耦合天线的图案相应地设置在相对温度高的位置和温度低的位置，优选设置在温度最高的位置和温度最低的位置。

图4(b)是示意地表示温度预测点P1、P2的温度计算模型的图。在产生从等离子体向窗部件22的吸热的同时，也产生从窗部件22向周围环境的散热，因此，吸热量与散热量之差引起窗部件22的温度上升。在等离子体处理装置11中，通常将多个衬底G逐个逐次交换进行处理，因此，窗部件22的温度随着反复执行处理方案对衬底G进行处理(随着时间的经过)而变高。但是，在一定个数的衬底G被处理时，窗部件22的吸热量与散热量平衡，由此窗部件22到达大致成为一定温度的平衡状态。

在窗部件22到达平衡状态时的自温度预测点P1、P2的初始温度起的温度变化通过计算来求取，作为计算式例如能够使用：

“温度变化[℃]＝(吸热量－散热量)×热阻×((1－exp(－时间/时间常数))”，

“散热量＝(温度预测点的温度－周边温度)×热阻”，

“吸热量＝(a×处理室压力^b)×(c×RF)”。

在上述的各式中，“热阻”是在温度预测点的值，“RF”是用于生成等离子体的高频电力值。在窗部件22达到平衡状态时的温度预测点P1、P2各自的预测到达温度TP1、TP2，作为计算出的“温度变化”与初始温度(室温)之和而求出。

表示吸热量的式子的系数a、b、c的值和用于计算出散热量的热阻的值通过以下方式决定：使用作为实际设备的等离子体处理装置11，将高频电力值、腔室20内的压力值进行各种变更，实际测量温度预测点P1、P2的温度，基于得到的结果尽可能正确再现实际测量结果。由此，能够提高计算出的预测到达温度TP1、TP2的可靠性。

图5(a)是示意地表示上述计算式的预测到达温度TP1、TP2的计算结果的图。1个衬底G的等离子体处理开始时，来自等离子体的吸热量超过散热量，因此，窗部件22的温度上升，但是，等离子体处理结束而停止等离子体的生成时，窗部件22的温度进一步散热而下降。对于下一个衬底G，窗部件22的温度也同样变化。最初吸热量比散热量多，因此，随着衬底G逐次处理，窗部件22的温度逐渐变高，但是，一定个数的衬底G被处理而使窗部件22的温度变高时散热量也变大，因此，温度预测点P1、P2的温度分别稳定于温度TP1、TP2，成为平衡状态。

在上述计算式的情况下，例如在60个衬底G的等离子体处理结束的时刻，确认到温度预测点P1、P2的温度分别到达预测到达温度TP1、TP2。于是，在步骤S3中，计算在将处理方案执行了例如60次时的预测到达温度TP1、TP2。接着，在步骤S4中，求出预测到达温度TP1、TP2间的预测到达温度差ΔT1，判断预测到达温度差是否比预定的阈值小。因此，温度预测点P1、P2的初始温度在与求取预测到达温度差ΔT1时被抵消，所以不存在该判断的问题。

图5(b)是示意地表示预测到达温度差ΔT1比阈值大的例子的图，在该情况下，在步骤S4中的判断为“否”，处理向步骤S6前进。图5(c)是示意地表示预测到达温度差ΔT1比阈值小的例子的图，在该情况下，在步骤S4中的判断为“是”，处理进入步骤S5。

预测到达温度差ΔT1大是指，窗部件22中的温度分布产生较大的偏离，窗部件22产生较大的应力而容易发生损坏。阈值是即使窗部件22产生温度分布，窗部件22也不损坏的温度差的上限值，可以基于用于求出上述计算式的系数的实际设备(等离子体处理装置11)的窗部件22的温度测定时的结果来决定，或者基于有限要素法等的仿真的结果来决定。阈值根据窗部件22的面积和厚度、电感耦合天线50的图案、使用的电介质材料等而不同，因此，根据等离子体处理装置11的规格来设定。

此外，阈值是限制在等离子体处理装置11中能够执行的处理方案的值。因此，为了避免窗部件22的损坏而将极端小的值设定为阈值时，可执行的处理受到制限，可制造的产品的范围(种类)变得狭窄。

作为避免该问题的方法之一，能够列举将阈值设置多级的方法。多个阈值例如能够列举：用于总是拒绝处理方案的登记的阈值(以下称为“上限阈值”)；和为了能够执行等离子体处理而允许处理方案的登记，但对衬底处理系统10的操作者提醒具有产生窗部件22的损坏的危险的阈值(以下称为“通常阈值”)。当预测到达温度差ΔT1为上限阈值以上时，与图5(b)的情况同样处理，当预测到达温度差ΔT1比通常阈值小时，与图5(c)的情况同样处理。

当预测到达温度差ΔT1为通常阈值以上且不到上限阈值时，对衬底G的处理个数设置制限，使得处理方案能够执行，该限制个数显示于操作画面，另外，控制装置100可以构成为在执行了该处理方案的情况下自动限制个数。由此，如图5(b)、(c)所示，每当衬底G的处理个数增加时，温度差(TP1－TP2)变大，因此，即使预测到达温度差ΔT1超过通常阈值的结果的情况下，在温度差不超过通常阈值的一定个数的范围内，也能够避免窗部件22的损坏。同样，即使预测到达温度差ΔT1为上限阈值以上的情况下，在温度差不超过通常阈值的一定个数的范围内限制衬底G的处理个数，也可以使处理方案能够执行。

通过如上述方式限制处理个数，能够避免窗部件22的损坏，并且扩大可登记的处理方案范围。该情况下的可进行等离子体处理的个数，可以通过对在求取预测到达温度差ΔT1的过程中求出的温度预测点P1、P2的温度差估算安全系数来进行设定。

至此，对基于温度预测点P1、P2的2个点间的预测到达温度差ΔT1避免窗部件22的损坏的方式进行了说明，接着，对在温度预测点P1、P2的基础上，例如在窗部件22的边缘部设定温度预测点P3，来避免窗部件22的损坏的方式进行说明。

在设定温度预测点P1～P3的情况下，基于输入的处理方案，在温度预测点P1、P2的2个点间的预测到达温度差ΔT1(第一差)的基础上，计算温度预测点P1、P3的2个点间的预测到达温度差ΔT2(第二差)。对预测到达温度差ΔT1设定阈值TH1(第一阈值)，判断预测到达温度差ΔT1是否比阈值TH1小。同样，对预测到达温度差ΔT2设定阈值TH2(第二阈值)，判断预测到达温度差ΔT2是否比阈值TH2小。其结果是，在预测到达温度差ΔT1比阈值TH1小且预测到达温度差ΔT2比阈值TH2小的情况下允许处理方案登记，在此以外的情况下不允许处理方案登记。由此，能够更加可靠地避免窗部件22的损坏。

在设定温度预测点P1～P3的情况下，对预测到达温度差ΔT1、ΔT2之和设定阈值TH3(第三阈值)，判断预测到达温度差ΔT1、ΔT2之和是否比阈值TH3小，在预测到达温度差ΔT1、ΔT2之和比阈值TH3小的情况下，允许处理方案登记。另外，温度预测点可以设置为比3个点多，此时的判断手法参照3个点的情况。伴随因来自等离子体的吸热导致的窗部件22的热膨胀的窗部件22的变形三维地产生，因此通过增加温度预测点能够更可靠地避免窗部件22的损坏。

以上，使用上述实施方式对本发明进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式。例如在上述实施方式中，说明了窗部件22的损坏避免程序存储在控制装置100且由控制装置100执行的方式。对此，本发明的目的通过如下方式实现：将记录有实现上述实施方式的功能的软件的程序编码的存储介质供给到控制装置100，控制装置100的微型计算机101读取存储介质中存储的程序编码来执行。

在该情况下，从存储介质读取的程序编码自身实现上述实施方式的功能，程序编码和存储该程序编码的存储介质构成本发明。作为用于供给程序编码的存储介质，例如能够存储RAM、NV-RAM、软盘(登记商标)、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光盘、磁盘、非易失性的存储卡、其它的ROM等的上述程序编码即可。或者，上述上記程序编码可以通过从互联网、商用网络或与局域网等连接的未图示的另外的计算机和数据库等下载而供给到控制装置100。

另外，可以在与控制装置100之外的通常的个人计算机上执行窗部件22的损坏避免程序。例如采用使窗部件22的损坏避免程序和能够输入等离子体处理的处理方案的程序(软件)相互关联的结构或者使它们一体化的结构。而且，衬底处理系统10的操作者在个人计算机上启动处理方案输入程序，输入处理方案。当处理方案的输入结束时，用于避免窗部件22的损坏的程序被快速执行，判断输入的处理方案是否为能够登记到控制装置100的处理方案。操作者可以设置仅在判断为能够登记的情况下能够对控制装置100输入相同的处理方案的规则。

并且，作为本发明的等离子体处理装置11，能够列举衬底的等离子体蚀刻装置，但是不限于此，也可以为成膜装置、灰化装置、离子注入装置等的其它的等离子体处理装置。另外，作为衬底G列举了FPD用的玻璃衬底，但即使为其它的衬底(例如半导体晶片)，也能够应用于本发明。