1.一种等离子体处理装置，其在腔室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体，从而对收纳在所述腔室内的衬底实施等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：
使所述电感耦合等离子体产生于所述等离子体生成区域的电感耦合天线；
配置在所述等离子体生成区域与所述电感耦合天线之间的窗部件；和
控制对所述衬底执行的等离子体处理的控制部，
所述控制部包括：
存储对所述衬底执行的等离子体处理的处理方案的存储部；
执行部，其按照存储于所述存储部的处理方案，对所述衬底执行等离子体处理；
输入部，其接收对所述衬底执行的等离子体处理的处理方案的输入；
判断部，其在按照所述输入部接收到的处理方案执行了等离子体处理时，判断所述窗部件是否发生损坏；和
登记部，其在所述判断部判断所述窗部件发生损坏的情况下，拒绝将所述处理方案登记到所述存储部，在所述判断部判断所述窗部件没有发生损坏的情况下，将所述处理方案登记到所述存储部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述窗部件由电介质形成，
所述判断部判断所述电介质是否发生损坏。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述窗部件具有电介质和设置在所述电介质的所述等离子体生成区域侧的电介质罩，
所述判断部判断所述电介质罩是否发生损坏。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述窗部件具有金属和设置在所述金属的所述等离子体生成区域侧的电介质罩，
所述判断部判断所述电介质罩是否发生损坏。
5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述判断部，对于按照所述输入部接收到的处理方案反复执行等离子体处理而使所述窗部件的温度成为平衡状态时的、设置于所述窗部件的多个温度预测点的预测到达温度之差，使用预先确定的计算式进行计算，在所述差比规定的阈值小的情况下，判断所述窗部件没有发生损坏。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述多个温度预测点至少包括所述电感耦合天线的正下方的1个点和所述窗部件的周缘部的1个点。
7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述多个温度预测点至少包括所述电感耦合天线的正下方的1个点和所述窗部件的周缘部的2个点，
所述判断部计算所述电感耦合天线的正下方的1个点的预测到达温度与所述窗部件的周缘部的2个点各自的预测到达温度的第一差和第二差，在所述第一差比第一阈值小且所述第二差比第二阈值小的情况下，判断所述窗部件没有发生损坏。
8.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述多个温度预测点至少包括所述电感耦合天线的正下方的1个点和所述窗部件的周缘部的2个点，
所述判断部计算所述电感耦合天线的正下方的1个点的预测到达温度与所述窗部件的周缘部的2个点各自的预测到达温度的第一差和第二差，在所述第一差与所述第二差之和比第三阈值小的情况下，判断所述窗部件没有发生损坏。
9.一种等离子体处理装置的控制方法，所述等离子体处理装置在腔室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体，从而对收纳于所述腔室内的衬底实施等离子体处理，所述等离子体处理装置的控制方法的特征在于，包括：
输入步骤，接收对所述衬底执行的等离子体处理的处理方案的输入；和
判断步骤，在按照所述处理方案执行了等离子体处理时，判断配置在所述等离子体生成区域与所述电感耦合天线之间的窗部件所包含的电介质是否发生损坏；
登记步骤，在由所述判断步骤判断出所述窗部件发生损坏的情况下，不将所述处理方案登记到所述存储部，在判断出所述窗部件没有发生损坏的情况下，将所述处理方案登记到所述存储部；和
执行步骤，按照通过所述登记步骤在所述存储部登记的处理方案来对所述衬底执行等离子体处理，
在所述判断步骤中，对于按照所述处理方案反复执行等离子体处理而使所述窗部件的温度成为平衡状态时的、设置于所述窗部件的多个温度预测点的预测到达温度之差，使用预先确定的计算式进行计算，在所述差比规定的阈值小的情况下，判断所述窗部件没有发生损坏。