技术总结
一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。
技术研发人员：庄学理;王宏火芍;江典蔚;游文俊
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610530486
技术研发日：2016.07.07
技术公布日：2017.01.25