1.一种半导体装置，具有：
半导体基板，具有主面；
突出部，作为所述半导体基板的一部分并且从所述主面突出，在所述主面的第1方向上具有宽度，在与所述第1方向正交的第2方向上延伸；
第1栅极电极，隔着第1绝缘膜地配置于所述突出部上，在所述第1方向上延伸；
第2栅极电极，隔着第2绝缘膜地配置于所述突出部上，在所述第1方向上延伸；
第3绝缘膜，位于所述第1栅极电极与所述第2栅极电极之间；以及
第1半导体区域和第2半导体区域，以夹着所述第1栅极电极和所述第2栅极电极的方式，形成于所述突出部内，
所述第2绝缘膜的膜厚比所述第1绝缘膜的膜厚厚，
所述第2栅极电极重叠的区域中的所述突出部的第1宽度比所述第1栅极电极重叠的区域中的所述突出部的第2宽度窄。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1绝缘膜具有第1氧化硅膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜是第2氧化硅膜与所述第2氧化硅膜上的氮化硅膜的层叠膜。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜在所述氮化硅膜上具有第3氧化硅膜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1栅极电极、所述第2栅极电极、所述第1半导体区域和所述第2半导体区域构成1个存储器单元。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有元件分离膜，该元件分离膜形成于所述半导体基板的主面，
所述元件分离膜在俯视时包围所述突出部。
7.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板，具有主面；
第1突出部，在所述主面的第1区域中，作为所述半导体基板的一部分并且从所述主面突出，在所述主面的第1方向上具有宽度，在与所述第1方向正交的第2方向上延伸；
第2突出部，在与所述第1区域不同的第2区域中，作为所述半导体基板的一部分并且从所述主面突出，在所述主面的第1方向上具有宽度，在与所述第1方向正交的第2方向上延伸；
第1栅极电极，隔着第1绝缘膜地配置于所述第1突出部上，在所述第1方向上延伸；
第2栅极电极，隔着第2绝缘膜地配置于所述第2突出部上，在所述第1方向上延伸；
第1半导体区域和第2半导体区域，以夹着所述第1栅极电极的方式，形成于所述第1突出部内；以及
第3半导体区域和第4半导体区域，以夹着所述第2栅极电极的方式，形成于所述第2突出部内，
所述第1绝缘膜包括电荷累积层，
所述第1栅极电极重叠的区域中的所述第1突出部的第1宽度比所述第2栅极电极重叠的区域中的所述第2突出部的第2宽度宽。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1绝缘膜是第1氧化硅膜与所述第1氧化硅膜上的氮化硅膜的层叠膜。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1栅极电极、所述第1绝缘膜、所述第1半导体区域和所述第2半导体区域构成第1存储器单元。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还具有：
第1元件分离膜，形成于所述半导体基板的主面，在俯视时包围所述第1突出部；
第2元件分离膜，形成于所述半导体基板的主面，在俯视时包围所述第2突出部。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第1栅极电极重叠的区域中从所述第1元件分离膜露出的所述第1突出部的第1高度高于在所述第2栅极电极重叠的区域中从所述第2元件分离膜露出的所述第2突出部的第2高度。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
还具有第3栅极电极，该第3栅极电极隔着第3绝缘膜地配置于所述第1突出部上，在所述第1方向上延伸，
所述第3栅极电极重叠的区域中的所述第1突出部的第3宽度比所述第1宽度宽。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
所述第3栅极电极重叠的区域中的从所述第1元件分离膜露出的所述第1突出部的第3高度比所述第1高度高。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1半导体区域和所述第2半导体区域配置为夹着所述第1栅极电极和所述第3栅极电极，
所述第1栅极电极、所述第1绝缘膜、所述第3栅极电极、所述第3绝缘膜、所述第1半导体区域和所述第2半导体区域构成第2存储器单元。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2栅极电极、所述第2绝缘膜、所述第3半导体区域和所述第4半导体区域构成晶体管。