技术总结
本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具有：凸片(FA)，作为半导体基板(1)的一部分并且从半导体基板(1)的主面(1a)突出，在第1方向上具有宽度并且在第2方向上延伸；控制栅极电极(CG)，隔着栅极绝缘膜(GIt)地配置于凸片(FA)上，在第1方向上延伸；以及存储器栅极电极(MG)，隔着栅极绝缘膜(GIm)地配置于凸片(FA)上，在第1方向上延伸。并且，膜厚比栅极绝缘膜(GIt)厚的栅极绝缘膜(GIm)所介于的配置有存储器栅极电极(MG)的区域的凸片(FA)的宽度(WM1)比栅极绝缘膜(GIt)所介于的配置有控制栅极电极(CG)的区域的凸片(FA)的宽度(WC1)窄。
技术研发人员：山下朋弘
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
文档号码：201610578765
技术研发日：2016.07.21
技术公布日：2017.03.08