1.一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、以硅片为基底，在硅片上制作绝缘层，作为原始衬底层；
步骤2、在压电材料上制作上电极层；
步骤3、将原始衬底层与制作有上电极层的压电材料键合；
步骤4、对压电材料减薄成压电厚膜层，之后在压电厚膜层上制作下电极层；
步骤5、将压电厚膜层与柔性衬底层键合；
步骤6、采用DRIE或湿法刻蚀去除原始衬底层的硅；
步骤7、采用RIE去除原始衬底层中的绝缘层，得到基于柔性衬底上的压电厚膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层的材料均为导电非金属、金属或金属化合物。
3.根据权利要求2所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层的材料为Au、Pt、Cu、Al、Cr、Ni、Cr/Ni合金、Cr/Cu合金、Cr/Au合金或Ti/Pt合金、ITO、碳纳米管、或石墨烯。
4.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述原始衬底层为生长绝缘层的硅衬底。
5.根据权利要求4所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅或聚合物层。
6.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述压电厚膜层为PZT、PMNT或BCT-BZT压电膜层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底层的材料为柔性金属、柔性金属化合物或柔性聚合物。
8.根据权利要求7所述的一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底层的材料为柔性导电铜、TCO、ITO、AZO、CdO、PEDOT:PSS、PPy、PANI、PDMS、PI或Parylene。
9.一种权利要求1-7任一项方法制备的基于柔性衬底上的压电厚膜。