技术总结
本发明提供了一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法，所述方法将原始硅衬底上沉积一层绝缘层后形成原始衬底层，之后利用环氧树脂胶将其沉积绝缘层的一面与溅射上电极的压电材料键合；将压电材料减薄为压电厚膜层后与柔性衬底层键合；通过DRIE、湿法刻蚀或RIE进行背面原始衬底层的刻蚀，去除原始衬底层。本发明具有工艺简单易实现、适用于多种结构、易于微加工工艺相结合、增强器件的柔韧性等优点。
技术研发人员：杨斌;李桂苗;刘景全;杨春生
受保护的技术使用者：上海交通大学
文档号码：201610651540
技术研发日：2016.08.10
技术公布日：2016.12.21