1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：
步骤101：提供基板，所述基板包括驱动TFT区域和显示TFT区域，在所述基板上沉积缓冲层；
步骤102：在所述缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述第一非晶硅层结晶转变为第一多晶硅层；
对所述第一多晶硅层进行图案化处理，得到位于所述驱动TFT区域的第一有源层；
步骤103：在所述第一有源层及缓冲层上沉积栅极绝缘层，
在所述栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，分别对应第一有源层的位置处形成第一栅电极，对应未设置第一有源层的位置处形成第二栅电极；
步骤104：利用第一栅电极和第二栅电极作为遮挡层，对栅极绝缘层进行离子植入；
步骤105：然后在栅极绝缘层、第一栅电极和第二栅电极上沉积层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上沉积第二非晶硅层，然后对第二非晶硅层进行离子植入，接着对所述第二非晶硅层进行固相晶化，使所述第二非晶硅层结晶转变为第二多晶硅层；
对所述第二多晶硅层进行图案化处理，形成第二有源层，第二有源层位于与第二栅电极相对应的位置处；
步骤106：在所述栅极绝缘层和层间绝缘层上对应所述第一有源层形成第一过孔和第二过孔，在所述层间绝缘层上对应所述第二栅电极形成第三过孔；
步骤107：沉积源漏电极层，并对源漏电极层进行图案化，同时在第二有源层表面形成沟道；
步骤108：沉浸钝化层，并对钝化层图案化，然后在钝化层上沉积平坦层，在所述平坦层上位于所述显示TFT区域的位置处形成第四过孔，所述第四过孔延伸至源漏电极层表面；
步骤109：在所述平坦层上沉积阳极电极，阳极电极经由第四过孔与所述源漏电极层相接触，然后沉积像素定义层，并进行图形定义，即完成TFT基板的制备。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
3.如权利要求1或2所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。
4.如权利要求3所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为50nm～500nm。
5.如权利要求1或2所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述层间绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。
6.如权利要求5所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述层间绝缘层的厚度为100nm～300nm。
7.如权利要求1或2所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，对第二非晶硅层进行离子植入，植入的为B离子。
8.如权利要求7所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为50nm～300nm。
9.如权利要求1或2所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述平坦层的厚度为100nm～500nm。
10.如权利要求9所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述像素定义层的厚度为300nm～900nm。