1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
配线基板，其具有第1面、形成于所述第1面的第1绝缘膜以及形成于所述第1绝缘膜的阻止部；
第1半导体设备，其搭载于所述配线基板的所述第1面上；
第1树脂，其位于所述第1绝缘膜和所述第1半导体设备之间，
其中，所述第1面具有第1边以及位于与所述第1边相对的一侧的第2边，
所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第2边之间的间隔，
所述阻止部形成在所述第1半导体设备和所述第1边之间，并且在所述第1半导体设备和所述第2边之间并未形成有阻止部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面的平面形状呈四边形，且其具有所述第1边、所述第2边、与所述第1边以及所述第2边相交的第3边、位于与所述第3边相对的一侧且与所述第1边以及所述第2边相交的第4边，
所述第1半导体设备和所述第3边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第2边之间的间隔，
所述配线基板具有：
第1阻止部，其形成于所述第1绝缘膜且形成在所述第1半导体设备和所述第1边之间；
第2阻止部，其形成于所述第1绝缘膜且形成在所述第1半导体设备和所述第3边之间，
其中，所述第2阻止部与所述第1阻止部连接在一起。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面上的位于所述第1半导体设备和所述第1边之间的整个区域以及位于所述第1半导体设备和所述第3边之间的整个区域被所述第1绝缘膜覆盖。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1半导体设备和所述第3边之间的间隔与所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔相同。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面的平面形状呈四边形，且其具有所述第1边、所述第2边、与所述第1边以及所述第2边相交的第3边、位于与所述第3边相对的一侧且与所述第1边以及所述第2边相交的第4边，
所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第3边之间的间隔以及所述第1半导体设备和所述第4边之间的间隔。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面上的位于所述第1半导体设备和所述第1边之间的整个区域以及位于所述第1半导体设备和所述第3边之间的整个区域被所述第1绝缘膜覆盖。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面的平面形状呈四边形，且其具有所述第1边、所述第2边、与所述第1边以及所述第2边相交的第3边、位于与所述第3边相对的一侧且与所述第1边以及所述第2边相交的第4边，
所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第3边之间的间隔，
在所述第1半导体设备和所述第3边之间并未形成有阻止部。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述配线基本的所述第1面上，在所述第2边和所述第1边之间搭载有第2半导体设备，
所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第2半导体设备和所述第1边之间的间隔以及所述第2半导体设备和所述第2边之间的间隔。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2半导体设备搭载于所述第1半导体设备和所述第2边之间，
所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第2半导体设备之间的间隔。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1半导体设备具有第1电路，所述第2半导体设备具有第2电路，所述第2电路对所述第1电路的动作进行控制。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1半导体设备和所述第1面之间的间隙大于所述第2半导体设备和所述第1面之间的间隙。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面的平面形状呈四边形，且其具有所述第1边、所述第2边、与所述第1边以及所述第2边相交的第3边、位于与所述第3边相对的一侧且与所述第1边以及所述第2边相交的第4边，
在所述第1半导体设备和所述第3边之间搭载有第2半导体设备，
俯视时，所述第2半导体设备和所述第3边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第2边之间的间隔，
所述配线基板具有：
第1阻止部，其形成于所述第1绝缘膜且形成在所述第1半导体设备和所述第1边之间；
第2阻止部，其形成于所述第1绝缘膜且形成在所述第2半导体设备和所述第3边之间。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1面的平面形状呈四边形，且其具有所述第1边、所述第2边、与所述第1边以及所述第2边相交的第3边、位于与所述第3边相对的一侧且与所述第1边以及所述第2边相交的第4边，
在所述第1半导体设备和所述第3边之间搭载有第2半导体设备，
俯视时，所述第2半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第2边之间的间隔，
所述配线基板具有：
第1阻止部，其形成于所述第1绝缘膜且形成在所述第1半导体设备和所述第1边之间；
第2阻止部，其形成于所述第1绝缘膜且形成在所述第2半导体设备和所述第1边之间。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1阻止部与所述第2阻止部连接在一起。
15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在配线基板的所述第1面上配置有第1部件，所述第1部件覆盖所述第1半导体设备的整体，
在所述第1面上的位于所述阻止部和所述第1边之间的区域，粘接有支承所述第1部件的支承部。
16.一种半导体装置，其特征在于，包括：
配线基板，其具有第1面、形成于所述第1面的第1绝缘膜、形成于所述第1绝缘膜上的第2绝缘膜以及形成于所述第2绝缘膜的阻止部；
第1半导体设备，其搭载于所述配线基板的所述第1面上；
第1树脂，其位于所述第1绝缘膜和所述第1半导体设备之间，
其中，所述第1面具有第1边以及位于与所述第1边相对的一侧的第2边，
所述第1半导体设备和所述第1边之间的间隔小于所述第1半导体设备和所述第2边之间的间隔，
所述阻止部形成在所述第1半导体设备和所述第1边之间，并且在所述第1半导体设备和所述第2边之间并未形成有阻止部。