1.一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一硅衬底，所述硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；
步骤02：对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡结构；其中，第一种离子和第二种离子不相同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤01和所述步骤02之间还包括：在硅衬底背面沉积低温氧化物薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤02中，在阻挡结构形成之后，还在硅衬底背面沉积低温氧化物薄膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤02之后，还包括：在硅衬底正面进行外延层生长。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅衬底边缘区域为所述硅衬底边缘向外凸出的区域且不与低温氧化物薄膜重叠。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅衬底边缘区域为所述硅衬底边缘向外凸出的区域最外侧向内不大于3mm的区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二种离子注入时采用的注入元素包括N和/或O。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一种离子为硼，第二种离子为氮。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二种离子注入时采用的离子注入剂量为1E9-1E18/cm2。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二种离子注入时采用的离子注入能量为10KeV-16KeV。