技术总结
本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层；其中，第一种离子和第二种离子不相同。本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。
技术研发人员：张召;王智;苏俊铭;倪立华
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610703032
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2016.12.21