一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法与流程

技术特征：

1.一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)生长介质膜：

在外延片上利用PECVD工艺生长一层介质膜作为干法刻蚀所需要的掩膜层；

(2)一次光刻图形：

在生长的介质膜上面旋涂一层光刻胶，利用第一块掩膜版曝光、显影和坚膜，得到第一深度区域的图形；

(3)腐蚀第一深度区域的图形：

利用光刻胶作为掩膜，采用湿法或者干法刻蚀的方法去除掉没有光刻胶保护区域的介质膜；

(4)二次光刻图形：

利用第二块光刻掩膜版对上面的光刻胶进行曝光、显影和坚膜，得到第二深度区域的图形；

(5)干法刻蚀：

利用上面的光刻胶和介质膜作为掩膜，进行干法刻蚀，同时得到第一深度和第二深度区域，去除刻蚀完成以后外延片表面的光刻胶和介质摸；

(6)生长电流阻挡层和光刻电流注入窗口：

在清洗完成的外延片表面生长电流阻挡层，在脊条的位置光刻腐蚀掉电流阻挡层形成电流注入窗口；

(7)对完成上述步骤的外延片进行加工，形成GaAs-基激光器。

2.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中的介质膜为SiO₂或者SiNx。

3.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中介质膜的厚度为第一深度与第二深度差值的1/3-1/5。

4.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中光刻胶的厚度为20000埃-30000埃。

5.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(2)和步骤(4)中的坚膜是在烘箱内90℃-110℃下坚膜20分钟-30分钟或者热板90℃-110℃烘烤1分钟-4分钟。

6.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(3)中的湿法是采用体积比HF：NH₄F：H₂O＝3：6：20的混合溶液腐蚀，干法为ICP或RIE干法刻蚀。

7.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(4)中曝光的光刻胶为步骤(2)中旋涂的光刻胶。

8.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，步骤(5)中干法刻蚀为ICP或RIE干法刻蚀。

9.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(5)中干法刻蚀的过程中，第一深度区域只刻蚀外延层，第二深度区域将介质膜刻蚀完以后接着对外延层进行刻蚀，这样就形成了两个区域的深度差。

10.根据权利要求1所述的具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，其特征是，所述步骤(6)中的电流阻挡层为SiO₂，厚度为1000-2000埃。