1.一种有机发光显示装置，包括开关薄膜场效应晶体管、驱动薄膜场效应晶体管以及分别连接所述开关薄膜场效应晶体管和所述驱动薄膜场效应晶体管的存储电容；其中，
所述开关薄膜场效应晶体管具有用于降低该开关薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第一有源层；
所述驱动薄膜场效应晶体管具有用于增加该驱动薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第二有源层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二有源层的含氧量高于所述第一有源层的含氧量。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层均为铟镓锌氧化合物层。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述开关薄膜晶体管还具有形成于所述第一有源层上的第三有源层。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二有源层和所述第三有源层同层设置，并采用相同的材料制备。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述开关薄膜场效应晶体管的漏极分别与所述第一有源层和所述第三有源层接触，所述开关薄膜场效应晶体管的源极分别与所述第一有源层和所述第三有源层接触。
7.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一图案化金属层，所述图案化金属层包括开关薄膜场效应晶体管的栅极和驱动薄膜场效应晶体管的栅极；
在所述第一图案化金属层上形成具有第一过孔的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成第一铟镓锌氧化合物层，所述第一铟镓锌氧化合物层包括用于降低该开关薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第一有源层；
在所述第一有源层上形成第二铟镓锌氧化合物层，所述第二铟镓锌氧化合物层包括第三有源层和用于增加该驱动薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第二有源层；
在所述第二铟镓锌氧化合物层上形成第二图案化金属层，所述第二图案化金属层包括所述开关薄膜场效应晶体管的源极和漏极以及所述驱动薄膜场效应晶体管的源极和漏极，并且所述开关薄膜场效应晶体管的源极通过所述第一过孔连接所述驱动薄膜场效应晶体管的栅极；
在所述第二图案化金属层上形成具有第二过孔的钝化层；
在所述钝化层上形成第三金属层，所述第三金属层包括像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔连接所述所述驱动薄膜场效应晶体管的源极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二铟镓锌氧化合物层的含氧量高于所述第一铟镓锌氧化合物层的含氧量。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：通过采用物理气相沉积工艺进行所述第二铟镓锌氧化合物层的膜质调试，和/或，通过对所述第二铟镓锌氧化合物层和所述栅极绝缘层进行界面调试，来增加所述第二铟镓锌氧化合物层的含氧量。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述开关薄膜场效应晶体管的漏极分别与所述第一有源层和所述第三有源层接触，所述开关薄膜场效应晶体管的源极分别与所述第一有源层和所述第三有源层接触。