1.一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用镀膜与晶化工艺在基板上制备多晶硅膜层，并采用第一道光罩制程对所述多晶硅膜层进行图案化处理，得到图案化多晶硅膜层；
在所述图案化多晶硅膜层和未被所述多晶硅膜层覆盖的基板上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，并采用第二道光罩制程对所述第一金属层、所述第二绝缘层和所述第二金属层进行图案化处理，形成间隔预设距离的TFT区和电容区；
在图案化处理后的所述第二绝缘层和所述第二金属层上以及未被覆盖的所述第一绝缘层上形成第三绝缘层，并采用第三道光罩制程对所述第三绝缘层进行图案化处理，在所述第三绝缘层中形成接触孔；
在所述接触孔中和所述第三绝缘层上形成第三金属层，并采用第四道光罩制程对所述第三金属层进行图案化处理，形成所述TFT区的源极和漏极以及与所述源极或漏极相连的作为有机发光二极管的第一电极的阳极；
采用第五道光罩制程在图案化处理后的所述第三金属层和未被所述第三金属层覆盖的所述第三绝缘层上制备形成图案化的像素限定层和间隔层，得到薄膜晶体管阵列基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用第二道光罩制程对所述第一金属层、所述第二绝缘层和所述第二金属层进行图案化处理，包括如下步骤：
采用半色调掩膜进行黄光工艺，在所述第二金属层上形成间隔所述预设距离的且厚度不同的光刻胶图层；
通过多步刻蚀—灰化—刻蚀工艺对所述光刻胶图层、所述第二金属层、所述第二绝缘层和所述第一金属层进行刻蚀，并剥离所述光刻胶，形成间隔所述预设距离的所述TFT区和所述电容区；
其中，所述TFT区中包括依次形成于所述第一绝缘层上的所述第一金属层和所述第二绝缘层；所述电容区中包括依次形成于所述第一绝缘层上的所述第一金属层、所述第二绝缘层和所述第二金属层，所述第二绝缘层完全覆盖所述第一金属层，所述第二金属层部分覆盖所述第二绝缘层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用所述第二道光罩制程对所述第一金属层、所述第二绝缘层和所述第二金属层进行图案化处理之后，还包括如下步骤：
以所述第一金属层作为掩膜，对未被所述第一金属层覆盖的所述多晶硅膜层进行自对准注入掺杂杂质离子。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述接触孔中和所述第三绝缘层上形成第三金属层之后，还包括在所述第三金属层上形成金属氧化物层的步骤。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述采用第五道光罩制程在图案化处理后的所述第三金属层和未被所述第三金属层覆盖的所述第三绝缘层上制备形成图案化的像素限定层和间隔层，包括如下步骤：
采用涂布工艺在图案化处理后的所述第三金属层和未被所述第三金属层覆盖的所述第三绝缘层上涂覆光敏性材料层；
利用半色调掩膜对所述光敏性材料层进行曝光，并经过显影后形成不同厚度分布的所述像素限定层和间隔层。
6.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，采用权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管阵列基板制备方法进行制备，包括：
基板；
形成于所述基板上的并经图案化的多晶硅膜层；
形成于所述图案化的多晶硅膜层上和未被所述多晶硅膜层覆盖的基板上的第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层包括TFT区和电容区，所述TFT区和所述电容区间隔预设距离；
依次形成于所述第一绝缘层上并位于所述TFT区的栅极和第二绝缘层，以及依次形成于所述第一绝缘层上并位于所述电容区的电容下极板、第二绝缘层和电容上极板；其中，所述电容上极板形成于所述第二绝缘层的部分表面上；
形成于所述第二绝缘层、所述电容上极板和未被覆盖的第一绝缘层上的第三绝缘层；其中，所述第三绝缘层中包括多个接触孔，多个接触孔分别贯穿至所述多晶硅膜层表面、所述电容下极板表面和所述电容上极板表面；
形成在所述接触孔中的源极、漏极和形成于未被覆盖的所述第三绝缘层上的阳极；其中，所述阳极覆盖部分所述第三绝缘层的表面，并与所述源极或所述漏极相连；
依次形成于未被覆盖的所述第三绝缘层上的像素限定层和间隔层；其中，所述像素限定层覆盖所述阳极一部分并露出所述阳极的大部分区域。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述电容下极板和所述电容上极板采用相同的金属或金属合金材料制备形成。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极、所述漏极和所述阳极采用相同的金属材料和/或金属氧化物材料同时制备形成。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为氧化硅和氮化硅中的至少一种；
所述第二绝缘层的材质和所述第三绝缘层的材质均为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
10.一种显示器件，其特征在于，包括：
权利要求6至9任一项所述的薄膜晶体管阵列基板；
形成于所述薄膜晶体管阵列基板上的有机发光层；
形成于所述有机发光层上的作为有机发光二极管第二电极的阴极层。