1.一种全反射阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
形成第一金属层的图形和第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层的图形包括位于外围区域的转接过孔的图形，所述第一金属层的图形包括位于所述转接过孔底部的金属图形；
形成透明金属氧化物导电层的图形和第二绝缘层的图形，所述透明金属氧化物导电层的图形包括位于所述转接过孔所在区域的透明转接走线图形，所述第二绝缘层的图形包括位于所述透明转接走线图形上方的绝缘保护图形；
形成第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括位于有效显示区域的金属反射图形。
2.根据权利要求1所述的全反射阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成第二金属层的图形的步骤包括：
形成金属薄膜；
在所述金属薄膜上涂覆第一光刻胶层；
对所述第一光刻胶层进行曝光和显影，形成第一光刻胶保留区和第一光刻胶去除区，所述第一光刻胶保留区包括所述金属反射图形所在区域，所述第一光刻胶去除区包括所述转接过孔所在区域；
对所述第一光刻胶去除区域的金属薄膜进行湿刻，形成第二金属层的图形；
对所述第一光刻胶去除区域的第二绝缘层进行干刻，露出所述转接过孔所在区域的透明转接走线图形；
剥离剩余的第一光刻胶层。
3.根据权利要求2所述的全反射阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的图形还包括位于所述阵列基板的扇出走线区域的金属走线图形，所述第一光刻胶保留区还包括所述扇出走线区域，所述第二金属层的图形还包括位于所述扇出走线区域的金属保护图形。
4.根据权利要求1所述的全反射阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成透明金属氧化物导电层的图形和第二绝缘层的图形的步骤包括：
形成透明金属氧化物导电薄膜；
形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上涂覆第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行曝光和显影，形成第二光刻胶保留区和第二光刻胶去除区，所述第二光刻胶保留区包括所述转接过孔所在区域；
对所述第二光刻胶去除区的第二绝缘层和透明金属氧化物导电薄膜进行刻蚀，形成透明金属氧化物导电层的图形和第二绝缘层的图形；
剥离剩余的第二光刻胶层。
5.根据权利要求4所述的全反射阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶去除区为除所述第二光刻胶保留区之外的其他区域。
6.根据权利要求1所述的全反射阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成第一金属层的图形和第一绝缘层的图形的步骤包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成栅金属层的图形；
形成栅绝缘层；
形成有源层的图形；
形成源漏金属层的图形；
形成第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层的图形包括位于所述外围区域的转接过孔的图形以及位于所述有效显示区域的对应于漏极的连接过孔的图形，所述第一金属层包括栅金属层和/或源漏金属层。
7.一种全反射阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的方法制作而成，包括：
第一金属层的图形和第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层的图形包括位于外围区域的转接过孔的图形，所述第一金属层的图形包括位于所述转接过孔底部的金属图形；
透明金属氧化物导电层的图形和第二绝缘层的图形，所述透明金属氧化物导电层的图形包括位于所述转接过孔所在区域的透明转接走线图形；
第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括位于有效显示区域的金属反射图形。
8.根据权利要求7所述的全反射阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的图形还包括位于所述阵列基板的扇出走线区域的金属走线图形，所述第二金属层的图形还包括位于所述扇出走线区域的金属保护图形。
9.根据权利要求7所述的全反射阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括栅金属层和源漏金属层，所述全反射阵列基板包括：
衬底基板；
栅金属层的图形，所述栅金属层的图形包括位于有效显示区域的栅极和栅线，位于所述阵列基板的外围区域的栅金属走线的图形，以及位于扇出走线区域的栅金属走线的图形；
栅绝缘层；
有源层的图形；
源漏金属层的图形，所述源漏金属层的图形包括位于有效显示区域的源极、漏极和数据线，位于所述外围区域的源漏金属走线的图形，以及位于扇出走线区域的源漏金属走线的图形；
第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层的图形包括位于所述外围区域的转接过孔的图形以及位于所述有效显示区域的连接过孔的图形；
透明金属氧化物导电层的图形，所述透明金属氧化物导电层的图形包括位于所述转接过孔所在区域的透明转接走线图形，所述透明转接走线图形通过所述转接过孔与所述外围区域的栅金属走线和源漏金属走线连接；
第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括位于有效显示区域的金属反射图形，位于所述连接过孔所在区域的金属连接图形，以及位于所述扇出走线区域的金属保护图形，所述金属连接图形通过所述连接过孔将所述漏极和所述金属反射图形连接起来。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-9任一项所述的全反射阵列基板。