薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置与流程

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极金属图案，所述有源层包括碳纳米管图案和位于所述碳纳米管图案上的多晶硅图案；

其中，所述源漏极金属图案包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述多晶硅图案接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括：位于所述多晶硅图案上的欧姆接触图案，

所述欧姆接触图案包括：源极接触图案和漏极接触图案，所述源极接触图案与所述漏极接触图案不接触，且所述源极接触图案分别与所述源极和所述多晶硅图案接触，所述漏极接触图案分别与所述漏极和所述多晶硅图案接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述欧姆接触图案与所述多晶硅图案接触；

所述多晶硅图案在所述衬底基板上的正投影区域覆盖所述碳纳米管图案在所述衬底基板上的正投影区域；

所述欧姆接触图案在所述衬底基板上的正投影与所述源漏极金属图案在所述衬底基板上的正投影重合；

所述碳纳米管图案在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重合。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述多晶硅图案在所述衬底基板上的正投影区域的面积与所述碳纳米管图案在所述衬底基板上的正投影区域的面积相等。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅极；

在形成有所述栅极的衬底基板上形成栅绝缘层；

在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有源层和源漏极金属图案，所述有源层包括碳纳米管图案和位于所述碳纳米管图案上的多晶硅图案；

其中，所述源漏极金属图案包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述多晶硅图案接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述有源层还包括：位于所述多晶硅图案上的欧姆接触图案，

所述欧姆接触图案包括：源极接触图案和漏极接触图案，所述源极接触图案与所述漏极接触图案不接触，且所述源极接触图案分别与所述源极和所述多晶硅图案接触，所述漏极接触图案分别与所述漏极和所述多晶硅图案接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有源层和源漏极金属图案，包括：

在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成碳纳米管层；

在形成有所述碳纳米管层的衬底基板上形成多晶硅层；

在形成有所述多晶硅层的衬底基板上依次形成欧姆接触层和源漏极金属层：

通过一次构图工艺对所述源漏极金属层、所述欧姆接触层、所述多晶硅层和所述碳纳米管层进行处理，得到所述源漏极金属图案、所述欧姆接触图案、所述多晶硅图案和所述碳纳米管图案。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成有钝化层，所述钝化层上形成有过孔；

形成有所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极接触。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8或9所述的阵列基板。