技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极金属图案，所述有源层包括碳纳米管图案和位于所述碳纳米管图案上的多晶硅图案；其中，所述源漏极金属图案包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述多晶硅图案接触。本发明达到了增大薄膜晶体管的开态电流，提高充电率的效果。本发明用于阵列基板。
技术研发人员：白金超;刘建涛;郭会斌
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
文档号码：201610842412
技术研发日：2016.09.22
技术公布日：2016.12.14