技术特征：
技术总结
一种于主动区域中具有栅极接触的三维半导体晶体管，该三维晶体管包含半导体衬底、连结至该衬底的鳍片，该鳍片包含横跨该鳍片的顶部的主动区域，该主动区域包含源极、漏极及在该源极与漏极之间的沟道区域。该晶体管更包含位在该沟道区域上方的栅极、以及位在该主动区域中的栅极接触，没有部分该栅极接触电性连结至该源极或漏极。该晶体管在制造期间是通过移除位在该栅极接触下方的该源极/漏极接触的一部分而达成。
技术研发人员：谢瑞龙;A·拉邦特;A·诺尔
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.08.11