技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供包括NMOS区域和PMOS区域的基底，NMOS区域基底为III－V族化合物基底，PMOS区域基底为含锗基底；在NMOS区域基底上形成第一高K栅介质层；采用氧化工艺在PMOS区域基底上形成界面层；在界面层和第一高K栅介质层上形成第二高K栅介质；在第二高K栅介质层上形成金属层。本发明可以在将第二高K栅介质层厚度调整至足以改善PMOS区域的栅漏电流问题的基础上，通过调整所述第一高K栅介质层的厚度，使所述NMOS区域的等效栅氧厚度也足以改善NMOS区域的栅漏电流问题。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.11.01
技术公布日：2018.05.08