本发明涉及一种发光二极管csp封装支架及其制造方法，属于发光二极管封装技术领域。
背景技术：
随led产业日新月异的发展，作为led照明核心部件led封装器件，将朝着尺寸越来越小，性能越来越高的方向发展。首先，尺寸足够小，性能足够高的led封装器件能够带来比普通led封装器件更多的创意和发挥空间，实现高性价比；其次，led器件制造商能够在相同的物理空间和光学配套投入上，获得更大的回报；再者led封装器件可以在更小的体积空间内实现更高的流明输出，使照明设计更灵活。这将不仅仅为现有的led照明存量市场提供更好的解决方案，更会为今后led新增市场带来更多的想象空间和发展机遇。因此开发超小尺寸led封装器件极为迫切。
技术实现要素：
针对上述问题，本发明要解决的技术问题是提供一种发光二极管csp封装支架及其制造方法。
本发明的一种发光二极管csp封装支架，它包括陶瓷基板；陶瓷基板上设置有铜箔一和铜箔二，铜箔一上面有一凸起的金属镀层一，其厚度为0.02-0.03毫米，铜箔一上面有一凸起的金属镀层二，其厚度约0.05-0.07毫米。
作为优选，所述的铜箔一上的金属镀层一为安装led芯片正极的位置，铜箔二上的金属镀层二为安装led芯片负极的位置。
作为优选，所述的金属镀层一及金属镀层二的直线距离和led芯片正负电极直线距离一致。
作为优选，所述的铜箔一、铜箔二、金属镀层一和金属镀层二位于陶瓷基板的同一方向，铜箔一和铜箔二上各有一个金属镀层一和金属镀层二。
作为优选，所述的陶瓷基板为水平式支架。
作为优选，所述的金属镀层一与金属镀层二为圆柱形，焊接led芯片负极的金属镀层直径为0.04-0.06毫米，高0.05-0.07毫米；焊接led芯片正极的金属镀层直径为0.06-0.1毫米，高0.02-0.03毫米。
一种发光二极管csp封装支架的制造方法，它包括以下步骤：
步骤一：使用陶瓷粉末，加入适量的助结剂和水，混合均匀后，经压制成型，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板；
步骤二：使用钢网6覆盖在陶瓷基板上，用刮刀把铜粉浆填充到钢网的缝隙中，移走钢网，在1200-1400℃环境中烘烤，与陶瓷基板产生共熔晶体；
步骤三：用钢网在基板线路中涂上保护膜，放进三氯化铁溶液进行蚀刻，获得精确线路。
步骤四：在基板上的铜箔一和铜箔二上，覆盖隔板，隔板上有一组两个的小孔，并进行电镀，镀上金属镀层一和金属镀层二。
本发明的有益效果为：由于主流的照明led器件采用蓝宝石衬底芯片为光源，芯片为水平式的结构，因芯片制造工艺的问题，其正负极存在高度差，约0.02-0.05毫米；采用在led基板的倒装焊接区上再电镀两个凸起的圆柱形金属电镀层，通过控制隔板大小能控制圆柱的直径，通过控制电镀时间可以控制凸点的高度；实施简单、经济，且使用效果好。在封装支架的铜箔电镀上两金属镀层，能有效解决因led芯片正负电极有高度差，而导致csp封装焊接良品率不高的问题。
附图说明
为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1为本发明的俯视结构示意图；
图2为图1的侧视图；
图3-图5为本发明中线路制作过程示意图；
图6-图8为本发明中基板上铜箔上金属块制作过程的示意图。
图中：1-陶瓷基板；2-铜箔一；3-铜箔二；4-金属镀层一；5-金属镀层二；6-钢网；7-铜粉浆；8-隔板。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本发明。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
如图1-2所示，本具体实施方式采用以下技术方案：包括陶瓷基板1、铜箔一2、铜箔二3及铜箔一2上的金属镀层一4和铜箔二3上的金属镀层二5。采用陶瓷粉末和适量的助结剂混合，压制成型并风干后，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板1；如图3、图4、图5所示，把雕刻好线路的钢网6压在陶瓷基板1上，使用刮刀，把调好助结剂的铜粉浆7填充到陶瓷基板1和钢网6之间的空隙，移走钢网6，铜粉浆7在陶瓷基板1上留下所需线路图形；静置一段时间后，把附有铜粉浆7的陶瓷基板1放进1200-1400℃的环境进行真空烘烤，防止铜和空气发生各种反应，影响导电效果；烘烤完成后，在附有铜共融晶体的陶瓷基板1上，使用钢网6在上面再刷一个保护层，然后把陶瓷基板1放进三氯化铁溶液中，进行线路的蚀刻，去掉线路上的毛刺和不必要的连接线等。在完成蚀刻的陶瓷基板1盖上隔板8，隔板孔81露出铜箔2的一部分，隔板82露出铜箔二3的一部分，然后进行电镀，根据要求，镀上不同形状和厚度的金属镀层。
如图3、图4、图5所示，所述的陶瓷基板1上的铜箔一2为支架的正极，铜箔二3为支架负极。两铜箔最小间距为0.025mm，最大间距不大于待封装芯片正负电极直线距离80%。铜箔一2和铜箔二3可以是方形、圆形或其他任意形状；但是铜箔二3必须有一处是处于图形的突出部31，用于电镀金属镀层二5，突出部为0.06x0.06毫米大小。
如图6、图7、图8所示，在基板1上的铜箔2和铜箔3上盖上隔板8，隔板上有一组小孔，分别是两个孔81、82。孔81和孔82的中心间距和该支架待封装的蓝宝石衬底led芯片正负电极间距一致；孔81直径为0.06-0.1毫米，孔82直径为0.04-0.06毫米。孔81可以在铜箔2上的任意位置；孔82必须在铜箔二31处，且必须重合。隔板8盖上基板1上的铜箔一2和铜箔二3后，进行电镀处理。金属镀层的大小会有一点变化，但是具体变化不大。另外，隔板8可以是一个独立单元，也可以是一个有特定长、宽距离组成的阵列组合。因此作为较佳的实施方式，在本发明中，选镀后，正极的金属镀层一4为圆柱形，直径是0.1毫米，高0.03毫米；负极的金属镀层二5为圆柱形，直径是0.05毫米，高0.6毫米。该两个金属镀层可以是金、银或铜等延展性好的金属，也可以是铜、镍、金等多种金属镀层的组合。
一种发光二极管csp封装支架，其制造可以通过下述步骤实现：
步骤二：使用陶瓷粉末，加入适量的助结剂和水，混合均匀后，经压制成型，在1600-1800℃下烧结，制得陶瓷基板1；
步骤二：使用钢网6覆盖在陶瓷基板1上，用刮刀把铜粉浆7填充到钢网6的缝隙中，使用在1200-1400℃烘烤，与基板产生共熔晶体；
步骤三：用钢网6在基板线路中涂上保护膜，放进三氯化铁溶液进行蚀刻，获得精确线路。
步骤四：在基板铜箔一2和铜箔二3上，覆盖隔板8，进行电镀，镀上金属镀层一4和金属镀层二5。
本具体实施方式在基板上的铜箔上电镀了两个直径分别为0.06-0.1毫米和0.04-0.06毫米的金属块，而且焊接芯片正极的金属块比焊接芯片负极的金属块矮0.03毫米，两金属块中心距离和待封装芯片正负两电极中心距离一致。这样，能有效解决蓝宝石衬底的led芯片因制程问题导致政府两电极高低不一，采用csp形式封装时焊接容易虚焊的问题，从而提高产品的良品率。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。