1.一种形成像素的方法，包括：
在衬底中形成沟槽；
在所述沟槽中生长掺杂外延硅；
形成与所述掺杂外延硅重叠的n阱区；并且
形成第一隔离区和第二隔离区，其中所述n阱区和所述掺杂外延硅插置在所述第一隔离区和所述第二隔离区之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底中形成所述沟槽包括：蚀刻所述衬底以形成所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括p型掺杂衬底。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述p型掺杂衬底是具有第一区域和第二区域的梯度衬底，其中所述第一区域具有第一p型掺杂浓度，并且其中所述第二区域具有与所述第一p型掺杂浓度不同的第二p型掺杂浓度。
5.根据权利要求3所述的方法，其中在所述沟槽中生长所述掺杂外延硅包括：在所述沟槽中生长n型掺杂外延硅。
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述第一隔离区和所述第二隔离区包括：将p型掺杂物注入到所述衬底中。
7.根据权利要求5所述的方法，还包括：
在所述沟槽中生长所述n型掺杂外延硅之后，在所述n型掺杂外延硅上生长p型掺杂外延硅。
8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述n阱区包括在所述p型掺杂外延硅中注入n型掺杂物。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述沟槽中生长所述掺杂外延硅之后，对所述掺杂外延硅进行激光退火。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
对所述掺杂外延硅进行激光退火之后，对所述掺杂外延硅进行化学机械平坦化。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述沟槽中生长所述掺杂外延硅包括：在450℃和600℃之间的温度下生长所述掺杂外延硅。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
执行后端工艺，以形成介电叠堆和金属互连布线路径。
13.一种形成像素的方法，包括：
在衬底上形成栅极氧化物层和栅极多晶硅层；
在所述衬底中形成第一n阱；
在所述衬底中形成第一隔离区和第二隔离区，使得所述第一n阱插置在所述第一隔离区和所述第二隔离区之间；
在所述栅极多晶硅层之上形成介电叠堆和金属互连布线路径；
在所述栅极多晶硅层之上形成所述介电叠堆和所述金属互连布线路径之后，将所述衬底减薄至所需的厚度；
在将所述衬底减薄至所述所需的厚度之后，在所述第一n阱上方形成沟槽；并且
在所述沟槽中生长n型掺杂外延硅。
14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述衬底中形成所述第一n阱包括：将磷注入到所述衬底中。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在所述栅极多晶硅层之上形成所述介电叠堆和所述金属互连布线路径之前，在所述衬底中形成第二n阱。
16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述衬底中形成所述第二n阱包括：将砷注入到所述衬底中。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述n型掺杂外延硅掺杂有选自由磷和砷构成的组中的掺杂物。
18.根据权利要求13所述的方法，还包括：
在所述沟槽中生长所述n型掺杂外延硅之后，对所述沟槽中的所述n型掺杂外延硅进行激光退火；并且
对所述沟槽中的所述n型掺杂外延硅进行激光退火之后，对所述n型掺杂外延硅进行化学机械平坦化。
19.一种包括多个像素的图像传感器，每个像素包括：
p型掺杂衬底；
在所述衬底中形成的n型掺杂外延硅；
包围所述n型掺杂外延硅的隔离区；
在所述n型掺杂外延硅之上形成的滤波器组件；以及
在所述n型掺杂外延硅之上形成的微透镜。
20.根据权利要求19所述的图像传感器，其中所述隔离区包括p型掺杂隔离区。