技术总结
本发明提供了一种包括多个像素的图像传感器和形成像素的方法，所述图像传感器可包括多个像素，每个像素包括光电二极管。所述像素可包括用于近红外应用的深光电二极管。可通过在衬底中形成的沟槽中生长掺杂外延硅来形成所述光电二极管。所述掺杂外延硅可掺杂有磷或砷。所述像素可包括通过在所述衬底中注入离子而形成的另外的n阱。通过注入硼离子而形成的隔离区可隔离所述n阱和所述掺杂外延硅。所述掺杂外延硅可在500℃和550℃之间的温度下形成。在形成所述掺杂外延硅之后，可利用激光退火来激活所述离子。还可进行化学机械平坦化，以确保所述掺杂外延硅具有平坦的表面用于后续处理。
技术研发人员：D·泰克莱布
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201610976493
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2017.05.17