1.一种晶圆，其特征在于：包括多个结构相同的晶粒(2)，每个晶粒(2)包括底部的N型衬底(8)、N型衬底(8)上方的氧化层(7)、氧化层(7)上方的超结元胞结构，超结元胞结构包括P型掺杂区(3)与N型掺杂区(4)，两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域，同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开。
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于：P型掺杂区(3)划分为P型子区域(31、32、…、3n、…)，N型掺杂区(4)划分为N型子区域(41、42、…、4n、…)，两种掺杂类型的子区域交替排列成一行。
3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于：P型掺杂区(3)划分为P型子区域(31、32、…、3n、…)，各P型子区域按多行多列排列，相邻的各P型子区域被N型掺杂区(4)分隔开。
4.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于：N型掺杂区(4)划分为N型子区域(41、42、…、4n、…)，各N型子区域按多行多列排列，相邻的各N型子区域被P型掺杂区(3)分隔开。
5.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于：所述各子区域为条形或方形或六边形或圆形或三角形。
6.根据权利要求1至5任意一项所述晶圆的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)采用N型硅片作材料A，采用P型硅片作材料B；
(2)材料A正面注入氧离子，材料B正面注入氢离子；
(3)材料A按图形刻槽，材料B按相反的图形刻槽；
(4)形成槽的材料B与形成槽的材料A对接，合成一块半导体C；
(5)材料B底部剥离，重复利用；
(6)晶圆表面处理。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：材料A的刻槽深度与材料B的刻槽深度相同。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：材料A的刻槽深度小于注入氧离子深度，材料B的刻槽深度小于注入氢离子深度。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：材料A、材料B分别采用正性胶和负性胶，使用统一掩模板。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：在步骤(5)和步骤(6)之间还包括步骤：
(5.1)半导体C表面处理；
(5.2)材料B表面注入氢离子；
(5.3)材料B按图形刻槽，半导体C按相反的图形刻槽；
(5.4)半导体C与形成槽的材料B对接，合成一块半导体C′；
(5.5)材料B底部剥离，重复利用；如果P型子区域、N型子区域的深度达到要求就进入步骤(6)，否则就转到步骤(5.1)。