1.一种低ESL表贴式电容器阵列，其特征在于，包括：陶瓷电容器主体(1)、第一内电极(3)、第二内电极(4)、第一外电极(5)和第二外电极(6)；
所述陶瓷电容器主体(1)包括多层陶瓷膜片(2)，上下相邻两层陶瓷膜片上印刷有呈交替排布的第一内电极(3)和第二内电极(4)；所述第一内电极(3)从陶瓷膜片(2)长度方向的一端延伸至另一端，所述第二内电极(4)从陶瓷膜片(2)宽度方向的一端延伸至另一端；
所述第一外电极(5)包覆所有所述第一内电极(3)的引出端，所述第二外电极(6)包覆所有所述第二内电极(4)的引出端。
2.如权利要求1所述的低ESL表贴式电容器阵列，其特征在于，所述第一外电极(5)和第二外电极(6)均由第一导电层(7)、第二导电层(8)和第三导电层(9)构成；
所述第一导电层(7)包覆第一内电极(3)或第二内电极(4)的引出端且延伸到陶瓷电容器主体(1)侧面附着于陶瓷电容器主体(1)的端面上；
所述第二导电层(8)包覆在所述第一导电层(7)上；
所述第三导电层(9)包覆在所述第二导电层(8)上。
3.如权利要求2所述的低ESL表贴式电容器阵列，其特征在于，所述第一导电层(7)的厚度为5～50um，所述第一导电层(7)为导电材料制成的层状结构，所述导电材料包括Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au中的一种或多种，或Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au中的一种或多种、玻璃及金属氧化物；
所述第二导电层(8)、第三导电层(9)的厚度均为3～10um，其中：在低ESL表贴式电容器阵列采用焊锡安装的情况下，所述第二导电层(8)选用电镀Ni层，第三导电层(9)选用电镀Sn或Sn-Pb层结构；在低ESL表贴式电容器阵列采用导电性胶粘剂或引线接合安装的情况下，所述第二导电层(8)选用电镀Ni层，第三导电层(9)选用Ni层上电镀Au层。
4.如权利要求2所述的低ESL表贴式电容器阵列，其特征在于，所述第二导电层(8)与第三导电层(9)之间设有用于缓和应力的导电树脂层。
5.如权利要求1所述的低ESL表贴式电容器阵列，其特征在于，所述陶瓷电容器主体(1)的拐角及棱边为圆弧状。
6.如权利要求1所述的低ESL表贴式电容器阵列，其特征在于，所述陶瓷膜片(2)的厚度为3um～10um，所述陶瓷膜片(2)为主成分和副成分混合制成的层状结构，所述主成分包括BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3中的一种或多种，所述副成分包括Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类元素化合物中的一种或多种；
所述第一内电极(3)、第二内电极(4)的厚度均为0.5～2.0um，所述第一内电极(3)、第二内电极(4)为导电材质制成的层状结构，所述导电材质包括Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au中的一种或多种。
7.一种如权利要求1-6中任一项所述的低ESL表贴式电容器阵列的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1、瓷浆分散、流延陶瓷膜片；
步骤2、在陶瓷膜片上印刷第一内电极或第二内电极，并交替层叠制得生坯；
步骤3、将生坯进行匀压、切割、排塑、烧结、倒角制得陶瓷电容器主体；
步骤4、对陶瓷电容器主体的第一内电极引出端、第二内电极引出端进行涂端、烧端制得第一外电极和第二外电极；
步骤5、完成低ESL表贴式电容器阵列的制备。
8.如权利要求7所述的低ESL表贴式电容器阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2包括：
步骤21、在陶瓷膜片上通过丝网印刷方式印刷导电浆料，形成第一内电极或第二内电极；
步骤22、将印刷有第一内电极的陶瓷膜片和第二内电极的陶瓷膜片进行交替层叠制得生坯。
9.如权利要求7所述的低ESL表贴式电容器阵列的制备方法，其特征在于，在步骤3中：
所述生坯通过等静压的方法进行匀压；
所述生坯的烧结温度为900℃～1300℃。
10.如权利要求7所述的低ESL表贴式电容器阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤4包括：
步骤41、将陶瓷电容器主体的第一内电极引出端与铺有导电浆料的平台相抵接并烧结，制得第一外电极的第一导电层；其中，烧结温度为700～900℃，烧结气氛为大气或N2气氛；
步骤42、将陶瓷电容器主体的第二内电极引出端处涂覆导电浆料并烧结，制得第二外电极的第一导电层；其中，烧结温度为700～900℃且高于步骤41的烧结温度，烧结气氛为大气或N2气氛；
步骤43、在所有第一导电层上电镀形成第二导电层，在第二导电层上电镀形成第三导电层；其中，在低ESL表贴式电容器阵列采用焊锡安装的情况下，所述第二导电层选用电镀Ni层，第三导电层选用电镀Sn或Sn-Pb层结构；在低ESL表贴式电容器阵列采用导电性胶粘剂或引线接合安装的情况下，所述第二导电层选用电镀Ni层，第三导电层选用Ni层上电镀Au层。