本发明涉及功率放大电路。
背景技术：
在移动电话等移动通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(rf：radiofrequency)信号的功率而使用功率放大电路。在功率放大电路中，作为放大元件，使用异质结双极型晶体管(hbt：heterojunctionbipolartransistor)等双极型晶体管。
已知在双极型晶体管中若恒定地驱动基极-发射极间电压，则随着温度上升，集电极电流增加。若因集电极电流的增加而消耗功率增加，则元件的温度上升，由此可能产生集电极电流进一步增加的正反馈(热失控)。因此，在功率放大电路中使用双极型晶体管的情况下，需要抑制双极型晶体管的热失控。例如，在专利文献1中公开了一种为了将双极型晶体管的温度变化传递给温度控制元件而使用利用了导热良好的金属的导热布线，并通过对被供给至双极型晶体管的偏置电压进行控制来抑制热失控的构成。
专利文献1：日本特开2006-147665号公报
在专利文献1所公开的构成中，为了加快传递至温度控制元件的时间，使用导热布线来抑制热失控，但该构成的对策导致成本增加。此外，在功率放大电路中，有使用由多个单位晶体管(也称为“指状物”。)构成的双极型晶体管的情况。在这样的双极型晶体管中，存在元件内的温度分布不均匀的情况。具体而言，元件的中心附近的温度较高而元件的外缘附近的温度较低。因此，在形成于元件的中心附近的单位晶体管的动作特性和形成于元件的外缘附近的单位晶体管的动作特性上产生差异，双极型晶体管的失真特性劣化。在专利文献1中，未公开在像这样由多个单位晶体管构成的双极型晶体管中，使元件内的温度分布均匀化的方法。
技术实现要素：
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于在具备由多个单位晶体管构成的双极型晶体管的功率放大电路中，提高双极型晶体管中的温度分布的均匀性。
本发明的一个侧面的功率放大电路具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。
根据本发明，能够在具备由多个单位晶体管构成的双极型晶体管的功率放大电路中，提高双极型晶体管中的温度分布的均匀性。
附图说明
图1是表示作为本发明的一个实施方式的功率放大电路100的构成的图。
图2是表示功率放大器120a、120b以及偏置电路140a、140b的构成例的图。
图3a是表示功率放大电路100的布局的一个例子的图。
图3b是表示功率放大电路100的布局的另一个例子的图。
图3c是表示功率放大电路100的布局的另一个例子的图。
图4是表示功率放大器120a、120b以及偏置电路140a、140b的详细布局的一个例子的图。
图5是表示图4所示的a-a′线的剖面(单位晶体管的剖面)的一个例子的图。
图6是表示图4所示的b-b′线的剖面的一个例子的图。
图7是表示各单位晶体管的温度的图。
图8是表示各单位晶体管的热阻的图。
图9是表示功率放大电路100中的温度分布的模拟结果的另一个例子的图。
图10是表示功率放大电路100中的温度分布的模拟结果的另一个例子的图。
图11是表示在图7、图9、以及图10所示的排列(2列配置、1列配置以及4列配置)中，改变了电压供给电路221a(二极管230a、231a)的位置的情况下的模拟结果的一个例子的图。
图12是表示在图9所示的排列(1列配置)中，改变了单位晶体管间的距离(间距)的情况下的模拟结果的一个例子的图。
附图标记说明
100…功率放大电路；110、120a、120b…功率放大器；130、140a、140b…偏置电路；150、160…匹配电路；170、180…电感器；200、220a、220b…双极型晶体管；210a…第1组单位晶体管；210b…第2组单位晶体管；211a、211b、223a、223b…电阻器；212a、212b、222a、222b…电容器；221a、221b…电压供给电路；230a、230b、231a、231b…二极管；310、311、312、313…端子；400…rf输入布线；410、420、610…布线；430…集电极布线；440、550…发射极布线；450…通孔；500…子集电极；510…集电极；511…集电极电极；520…基极；521…基极电极；530…发射极；531…发射极电极；540…基板；600…绝缘树脂膜。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。图1是表示作为本发明的一个实施方式的功率放大电路100的构成的图。功率放大电路100例如是在移动电话等移动通信设备中，用于对向基站发送的rf信号的功率进行放大的集成电路。
如图1所示，功率放大电路100具备功率放大器110、120a、120b；偏置电路130、140a、140b；匹配电路(mn：matchingnetwork)150、160；以及电感器170、180。
功率放大器110、120a、120b构成了二级的放大电路。对功率放大器110经由电感器170供给电源电压vcc。另外，对功率放大器120a、120b经由电感器180供给电源电压vcc。功率放大器110对rf信号rfin1(第3信号)进行放大并输出放大信号rfout1(第1信号)。功率放大器120a、120b对rf信号rfin2(rfout1)(第1信号)进行放大并输出放大信号rfout2(第2信号)。功率放大器120a、120b以并联的方式连接。功率放大器120a在以相对较低的功率电平动作的低功耗模式(lpm)(第1功率模式)以及以相对较高的功率电平动作的高功率模式(hpm)(第2功率模式)的任意一方都开启。另一方面，功率放大器120b在低功耗模式的情况下为关闭，在高功率模式的情况下为开启。因此，在功率放大电路100中，在低功耗模式情况下，通过功率放大器110、120a进行放大，在高功率模式的情况下，通过功率放大器110、120a、120b进行放大。功率放大器120a、120b使用具备多个单位晶体管(也称为“指状物”。)的双极型晶体管(例如hbt)而构成。该双极型晶体管例如具备16个单位晶体管，功率放大器120a由4个单位晶体管构成，功率放大器120b由12个单位晶体管构成。此外，这里示出的单位晶体管的数量是一个例子，并不限定于此。
偏置电路130、140a、140b分别是用于对功率放大器110、120a、120b供给偏置电压或者偏置电流的电路。对偏置电路130、140a、140b供给电池电压vbat。偏置电路130基于偏置控制电压vbias1，对功率放大器110供给偏置电压或者偏置电流。同样地，偏置电路140a、140b分别基于偏置控制电压vbias2、vbias3，对功率放大器120a、120b供给偏置电压或者偏置电流。在低功耗模式的情况下，偏置电路140b不对功率放大器120b供给偏置电压或者偏置电流，从而功率放大器120b关闭。此外，用于关闭功率放大器120b的构成并不限于此。例如，也可以为通过停止对功率放大器120b的电源电压或者接地电压的供给，来关闭功率放大器120b。
匹配电路150、160为了使电路间的阻抗匹配而设置。匹配电路150、160例如使用电感器、电容器来构成。
图2是表示功率放大器120a、120b以及偏置电路140a、140b的构成成的图。
功率放大器120a、120b使用由多个单位晶体管构成的双极型晶体管200(第1放大晶体管)构成。功率放大器120a具备多个单位晶体管中的第1组(例如4个)单位晶体管210a、电阻器211a以及电容器212a。同样地，功率放大器120b具备多个单位晶体管中的第2组(例如12个)单位晶体管210b、电阻器211b以及电容器212b。
第1组单位晶体管210a对集电极经由电感器180供给电源电压vcc，对基极经由电容器212a供给rf信号rfin2，发射极接地。另外，对第1组单位晶体管210a的基极经由电阻器211a供给偏置电压或者偏置电流。第2组单位晶体管210b对集电极经由电感器180供给电源电压vcc，对基极经由电容器212b供给rf信号rfin2，发射极接地。另外，对第2组单位晶体管210b的基极经由电阻器211b供给偏置电压或者偏置电流。由此，从双极型晶体管200的集电极输出放大信号rfout2。
偏置电路140a具备双极型晶体管220a(例如hbt)、电压供给电路221a、电容器222a以及电阻器223a。
双极型晶体管220a(第1偏置晶体管)对集电极供给电池电压vbat，对基极从电压供给电路221a供给电压(第1电压)，从发射极经由电阻器211a对第1组单位晶体管210a的基极供给偏置电压(第1偏置电压)或者偏置电流(第1偏置电流)。
电压供给电路221a(第1电压供给电路)基于偏置控制电压vbias2，来控制双极型晶体管220a的基极电压。具体而言，电压供给电路221a具备二极管230a(第1二极管)以及二极管231a(第2二极管)。二极管230a、231a以串联的方式连接，二极管230a的阳极与双极型晶体管220a的基极连接，二极管231a的阴极接地。电容器222a以并联的方式与二极管230a、231a连接。另外，对二极管230a的阳极经由电阻器223a供给偏置控制电压vbias2。由此，在二极管230a的阳极生成与二极管230a、231a的正向电压相应的电压(第1电压)，该电压被供给至双极型晶体管220a的基极。该电压根据二极管230a、231a的正向电压的特性，随着温度的上升而降低。电容器222a是为了使由电压供给电路221a供给的电压稳定而设置的。此外，有将电压供给电路221a中的二极管230a、231a分别记作d1、d2的情况。二极管230a、231a分别能够由二极管连接的双极型晶体管构成。这里，示出了使用二极管构成电压供给电路221a的例子，但构成电压供给电路221a的元件并不限于此。
偏置电路140b具备双极型晶体管220b(例如hbt)、电压供给电路221b、电容器222b以及电阻器223b。
双极型晶体管220b(第2偏置晶体管)对集电极供给电池电压vbat，对基极从电压供给电路221b供给电压(第2电压)，从发射极经由电阻器211b对第2组单位晶体管210b的基极供给偏置电压(第2偏置电压)或者偏置电流(第2偏置电流)。
电压供给电路221b(第2电压供给电路)基于偏置控制电压vbias3，来控制双极型晶体管220b的基极电压。具体而言，电压供给电路221b具备二极管230b(第3二极管)以及二极管231b(第4二极管)。二极管230b、231b以串联的方式连接，二极管230b的阳极与双极型晶体管220b的基极连接，二极管231b的阴极接地。电容器222b以并联的方式与二极管230b、231b连接。另外，对二极管230b的阳极经由电阻器223b供给偏置控制电压vbias3。由此，在二极管230b的阳极生成与二极管230b、231b的正向电压相应的电压(第2电压)，该电压被供给至双极型晶体管220b的基极。该电压根据二极管230b、231b的正向电压的特性，随着温度的上升而降低。电容器222b是为了使由电压供给电路221b供给的电压稳定而设置的。此外，有将电压供给电路221b中的二极管230b、231b分别记作d1、d2的情况。二极管230b、231b分别能够由二极管连接的双极型晶体管构成。这里，示出了使用二极管构成电压供给电路221b的例子，但构成电压供给电路221b的元件并不限于此。
在图2中，对功率放大器120a、120b以及偏置电路140a、140b的构成进行了说明，功率放大器110以及偏置电路130也是相同的构成。即、功率放大器110与功率放大器120a、120b相同，作为放大元件具备双极型晶体管(第2放大晶体管)。
图3a是表示功率放大电路100的布局的一个例子的图。此外，图3所示的布局是概要，并没有示出功率放大电路100的全部构成。
如图3a所示，在功率放大电路100中，作为偏置电路140a的一部分的电压供给电路221a设置于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外部。另一方面，作为偏置电路140b的一部分的电压供给电路221b设置于形成有双极型晶体管200的矩形区域的内部。另外，详细内容后述，但功率放大器120a形成于不包含形成双极型晶体管200的矩形区域的中心(矩形区域的两个对角线的交点)的区域(第1子区域)，功率放大器120b形成于包含形成双极型晶体管200的矩形区域的中心的区域(第2子区域)。此外，所谓的功率放大器120a形成于不包含矩形区域的中心的区域是指构成功率放大器120a的双极型晶体管的一部分未形成于矩形区域的中心。另外，所谓的功率放大器120b形成于包含矩形区域的中心的区域是指构成功率放大器120b的双极型晶体管的一部分形成于矩形区域的中心。
双极型晶体管200随着动作其温度上升。温度上升尤其在高功率模式的动作时显著。若因温度上升而双极型晶体管200的集电极电流增加，则双极型晶体管200的温度进一步上升，存在引起热失控的可能性。因此，在功率放大电路100中，通过电压供给电路221a、221b抑制热失控。
若双极型晶体管200的温度上升，则电压供给电路221b的温度上升。伴随于此，二极管230b、231b的正向电压下降，对双极型晶体管220b的基极供给的电压下降。由此，对功率放大器120b供给的偏置电压或者偏置电流降低，抑制双极型晶体管200的温度上升。将由热引起的二极管230b、231b的正向电压下降称为放大器与电压供给电路的热耦合。
这里，对于双极型晶体管200的温度分布，若忽略通过电压供给电路221a、221b进行的控制，则元件的中心附近的温度较高，另一方面，元件的外缘附近的温度较低。即、在双极型晶体管200中，功率放大器120a的温度相对较低。因此，在本实施方式中，将电压供给电路221b设置于形成有双极型晶体管200的矩形区域的内部，另一方面将电压供给电路221a设置于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外部。通过这样的布局，电压供给电路221a的温度比电压供给电路221b的温度低。因此，与功率放大器120b相比较，对功率放大器120a供给的偏置电压或者偏置电流的降低被抑制。由此，能够抑制形成有功率放大器120a的区域的温度降低，并提高双极型晶体管200整体的温度分布的均匀性。
特别优选与形成有双极型晶体管200的矩形区域邻接地形成电压供给电路221a。例如，在图3a所示的布局中，电压供给电路221a形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘与偏置电路140a的双极型晶体管220a之间。虽然与形成有双极型晶体管200的矩形区域邻接的区域与形成有双极型晶体管200的矩形区域内相比是低温，但随着双极型晶体管200的温度上升，其温度上升。由此，电压供给电路221a的温度上升，对功率放大器120a供给的偏置电压或者偏置电流降低，并能够抑制热失控。
电压供给电路221a并不限于图3a所示的区域，也可以形成于与形成有双极型晶体管200的矩形区域邻接的任意的区域。例如，如图3b所示，电压供给电路221a也可以形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘与功率放大器110等其它元件之间的区域300。另外，例如，如图3c所示，电压供给电路221a也可以形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘与引线接合用端子310～313之间的区域320。此外，电压供给电路221a也可以形成于同与形成有双极型晶体管200的矩形区域邻接的区域不同的区域。例如，也可以在形成有双极型晶体管200的矩形区域与形成有电压供给电路221的区域之间，形成其它的元件。
图4是表示功率放大器120a、120b以及偏置电路140a、140b的详细布局的一个例子的图。
图4中示出了构成双极型晶体管200的16个单位晶体管(指状物)f1～f16。16个单位晶体管以排列成2列(f1～f8以及f9～f16)的方式形成。功率放大器120a包含4个单位晶体管f1、f2、f9、f10。功率放大器120b包含12个单位晶体管f3～f8、f11～f16。单位晶体管f1、f2、f9、f10形成于不包含形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心的区域(第1子区域)。单位晶体管f3～f8、f11～f16形成于包含形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心的区域(第2子区域)。
对各单位晶体管的基极经由rf输入布线400供给rf信号rfin2。对功率放大器120a的单位晶体管f1、f2、f9、f10的基极，从双极型晶体管220a经由布线410供给偏置电压或者偏置电流。对功率放大器120b的单位晶体管f3～f8、f11～f16的基极，从双极型晶体管220b经由布线420供给偏置电压或者偏置电流。各单位晶体管的集电极与集电极布线430连接。各单位晶体管的发射极与发射极布线440连接，并经由通孔450接地。此外，这里示出的单位晶体管的数量、列数是一个例子，并不限定于此。
如上所述，电压供给电路221a(二极管230a、231a)形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外部。更具体而言，电压供给电路221a(二极管230a、231a)形成于距离形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘距离d的位置。另一方面，电压供给电路221b(二极管230b、231b)形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的内部。通过这样的布局，如上所述，能够提高双极型晶体管200的温度分布的均匀性。
另外，如图4所示，未形成有电压供给电路221a的一侧的列的单位晶体管f1～f8能够与形成有电压供给电路221a的一侧的列的单位晶体管f9～f16成为对称的排列。由此，作为热源的单位晶体管f1～f16以形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心为基准大致配置成点对称，能够提高双极型晶体管200的温度分布的均匀性。在2列以上的构成中也相同。
另外，也可以在形成有双极型晶体管200的矩形区域内的空闲区域形成其它元件。例如，也可以在单位晶体管f4、f5之间的区域形成保护元件。像这样，通过在形成有双极型晶体管200的矩形区域内的空闲区域形成其它元件，能够减小功率放大电路100的芯片尺寸。
图5是表示图4所示的a-a′线的剖面(单位晶体管的剖面)的一个例子的图。单位晶体管包含子集电极500、集电极510、集电极电极511、基极520、基极电极521、发射极530以及发射极电极531。
子集电极500例如形成在砷化镓(gaas)基板540上。集电极510以及集电极电极511形成在子集电极500上。基极520形成在集电极510上。基极电极521形成在基极520上。在集电极电极511上层叠有集电极布线550以及图4所示的集电极布线430。发射极电极531形成在发射极530上。在发射极电极531上层叠有图4所示的发射极布线440。
图6是表示图4所示的b-b′线的剖面的一个例子的图。发射极布线440形成在基板540的表面上。绝缘树脂膜600形成在发射极布线440上。集电极布线430形成在绝缘树脂膜600上。通孔450形成为从基板540的里面到达发射极布线440。而且，在通孔450形成有与接地连接的布线610。
图7以及图8是表示功率放大电路100中的温度分布的模拟结果的一个例子的图。
图7是表示各单位晶体管的温度的图。如图7所示，16个单位晶体管(f1～f16)排列成2列(f1～f8以及f9～f16)。其中，单位晶体管f1、f2、f9、f10是功率放大器120a用的单位晶体管。电压供给电路221a(二极管230a、231a)形成于距离形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘40μm的位置。电压供给电路221b(二极管230b、231b)形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心附近(单位晶体管f12、f13之间)。
图7中示出了使功率放大电路100以高功率模式动作的情况下(室温25度)的各单位晶体管的温度。如图7所示，单位晶体管f1、f2、f9、f10的温度与中心附近的单位晶体管(例如，f4、f5、f12、f13)的温度为相同程度。
图8是表示各单位晶体管的热阻的图。横轴表示单位晶体管的位置，纵轴表示热阻(℃/w)。此外，在图8中，表示为“有分割”的图表是功率放大电路100的模拟结果。另外，在图8中，表示为“无分割”的图表是将电压供给电路221a(二极管230a、231a)与电压供给电路221b(二极管230b、231b)相同地形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的内部的情况下(比较例)的模拟结果。如图8所示，可知在功率放大电路100中，与比较例相比，可减少单位晶体管f1～f16的热阻的偏差。
图9是表示功率放大电路100中的温度分布的模拟结果的另一个例子的图。在图9中示出了使功率放大电路100以高功率模式动作的情况下(室温25度)的各单位晶体管的温度。在图9中，16个单位晶体管(f1～f16)排列成1列。其中，单位晶体管f1、f2、f15、f16是功率放大器120a用的单位晶体管。电压供给电路221a(二极管230a、231a)形成于距离形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘150μm的位置。电压供给电路221b(二极管230b、231b)形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心附近(单位晶体管f8、f9之间)。在该例子中，单位晶体管f1、f2、f15、f16的温度与中心附近的单位晶体管(例如，f8、f9)的温度也为相同程度。
图10是表示功率放大电路100中的温度分布的模拟结果的另一个例子的图。图10中示出了使功率放大电路100以高功率模式动作的情况下(室温25度)的各单位晶体管的温度。在图10中，16个单位晶体管(f1～f16)排列成4列(f1～f4、f5～f8、f9～f12、以及f13～f16)。其中，单位晶体管f1、f2、f13、f14是功率放大器120a用的单位晶体管。电压供给电路221a(二极管230a、231a)形成于距离形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘60μm的位置。电压供给电路221b(二极管230b、231b)形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心附近(单位晶体管f6、f7之间)。在该例中，单位晶体管f1、f2、f13、f14的温度与中心附近的单位晶体管(例如，f6、f7、f10、f11)的温度也为相同程度。
图11是表示在图7、图9、以及图10所示的排列(2列配置、1列配置、以及4列配置)中，改变了电压供给电路221a(二极管230a、231a)的位置的情况下的模拟结果的一个例子的图。
在图11中，横轴表示形成有电压供给电路221a(二极管230a、231a)的位置的温度(tave(d1，d2))相对于形成有双极型晶体管200的矩形区域中的最高温度tmax的比例(％)。另外，纵轴表示单位晶体管的热阻的标准偏差(σ)相对于单位晶体管的热阻的平均(ave)的比例(％)。此外，在图11中，横轴的值为90％附近的数据与图8同样是“无分割”(比较例)的模拟结果。
根据图11的模拟结果可知，不管单位晶体管的排列如何，与比较例的情况相比都能够减少热阻的偏差，即、温度分布的均匀性提高。尤其可知，在横轴的值为60％以上75％以下的范围内，能够得到良好的结果。
图12是表示在图9所示的排列(1列配置)中，改变了单位晶体管间的距离(间距)的情况下的模拟结果的一个例子的图。横轴以及纵轴与图11相同。图12中示出了间距为30μm、35μm、以及40μm这三种情况下的模拟结果。可知在任一间距下，在横轴的值为60％以上75％以下的范围内，能够得到良好的结果。
以上，对本发明的例示的实施方式进行了说明。在功率放大电路100中，构成功率放大器120a的第1组单位晶体管210a在形成有双极型晶体管200的矩形区域内，形成于不包含该区域的中心的区域(第1子区域)。另外，构成功率放大器120b的第2组单位晶体管210b在形成有双极型晶体管200的矩形区域内，形成于包含该区域的中心的区域(第2子区域)。而且，对供给至功率放大器120a的偏置电压或者偏置电流进行控制的电压供给电路221a形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外部，对供给至功率放大器120b的偏置电压或者偏置电流进行控制的电压供给电路221b形成于该区域的内部。
通过这样的布局，电压供给电路221a的温度比电压供给电路221b的温度低。因此，与功率放大器120b相比较，可抑制供给至功率放大器120a的偏置电压或者偏置电流的降低。由此，能够抑制形成有功率放大器120a的区域(不包含形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心的区域)的温度降低，并提高双极型晶体管200的温度分布的均匀性。
另外，功率放大电路100中，电压供给电路221b形成于包含形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心的区域(第2子区域)。在双极型晶体管200中，尤其是中心附近处于成为高温的趋势。因此，通过将电压供给电路221b形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的中心附近，能够提高双极型晶体管200的热失控的抑制效果。
另外，在功率放大电路100中，构成功率放大器120a的单位晶体管(指状物)的数量比构成功率放大器120b的单位晶体管(指状物)的数量少。因此，由于抑制温度降低的单位晶体管(指状物)的数量相对较少，所以很容易维持双极型晶体管200整体的热失控的抑制效果。
另外，在功率放大电路100中，电压供给电路221a与形成有双极型晶体管200的矩形区域邻接地形成。虽然与形成有双极型晶体管200的矩形区域邻接的区域与形成有双极型晶体管200的矩形区域内部相比是低温，但是随着双极型晶体管200的温度上升，其温度上升。由此，电压供给电路221a的温度上升，对功率放大器120a供给的偏置电压降低，能够抑制热失控。
例如，如图3a所示，电压供给电路221a能够形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘与偏置电路140a的双极型晶体管220a之间。
另外，例如，如图3b所示，电压供给电路221a能够形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘与功率放大器110等其它元件之间的区域300。
另外，例如，如图3c所示，电压供给电路221a能够形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域的外缘与引线接合用端子310～313之间的区域320。
特别是，如图11以及图12所示，通过将电压供给电路221a形成于形成有双极型晶体管200的矩形区域中的成为最高温度的60％以上75％以下的温度的位置，能够提高温度分布的均匀性。
另外，在功率放大电路100中，能够由以串联方式连接的二极管230a、231a构成电压供给电路221a。同样地，能够由以串联的方式连接的二极管230b、231b构成电压供给电路221b。由此，例如，不使用电阻值较大的电阻器，就能够抑制热失控。
以上说明的各实施方式是用于容易理解本发明的例子，并不是用来限定并解释本发明的例子。本发明能够不脱离其宗旨地进行变更/改进，并且该等价物也包含于本发明。即、本领域技术人员对各实施方式适当地添加了设计变更后所成的方式，只要具备本发明的特征，也包含于本发明的范围。例如，各实施方式所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不被例示出的例子所限定而能够适当地进行变更。另外，各实施方式所具备的各要素只要在技术上允许就能够组合，对这些要素组合而成的方式只要包含本发明的特征也包含于本发明的范围。